技術(shù)編號：5866610
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開的各個實施例總的來說涉及半導(dǎo)體裝置，具體地說涉及用于測試半導(dǎo)體裝 置的電路和方法。背景技術(shù)為了增加半導(dǎo)體裝置的集成度，已經(jīng)開發(fā)包括多個堆疊芯片的3維(3D)半導(dǎo)體裝 置。堆疊芯片提供了使得3D半導(dǎo)體裝置能被封裝進單個封裝內(nèi)的結(jié)構(gòu)。近來，已經(jīng)開發(fā)穿 透硅通孔(TSV)型半導(dǎo)體裝置，其中，硅通孔被形成為穿透多個堆疊芯片，從而所有的芯片 彼此電連接。3D半導(dǎo)體裝置具有多個TSV，從而多個堆疊芯片通常可以接收各種信號。例如，在 存儲裝置的情形中，多個堆疊芯片...
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