專利名稱：用于測試半導(dǎo)體裝置的電路和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開的各個(gè)實(shí)施例總的來說涉及半導(dǎo)體裝置，具體地說涉及用于測試半導(dǎo)體裝 置的電路和方法。
背景技術(shù)：
為了增加半導(dǎo)體裝置的集成度，已經(jīng)開發(fā)包括多個(gè)堆疊芯片的3維(3D)半導(dǎo)體裝 置。堆疊芯片提供了使得3D半導(dǎo)體裝置能被封裝進(jìn)單個(gè)封裝內(nèi)的結(jié)構(gòu)。近來，已經(jīng)開發(fā)穿 透硅通孔(TSV)型半導(dǎo)體裝置，其中，硅通孔被形成為穿透多個(gè)堆疊芯片，從而所有的芯片 彼此電連接。3D半導(dǎo)體裝置具有多個(gè)TSV，從而多個(gè)堆疊芯片通?？梢越邮崭鞣N信號。例如，在 存儲(chǔ)裝置的情形中，多個(gè)堆疊芯片通?？梢酝ㄟ^TSV接收地址信號、測試信號、輸入/輸出 線信號以及命令信號。然而，在TSV中可能出現(xiàn)各種缺陷。例如，缺陷可以包括由于TSV中導(dǎo)電材料的不 完全填充而產(chǎn)生的空隙、由于芯片的翹曲或凸塊材料(bumpmaterial)的遷移導(dǎo)致的凸塊 接觸失效，以及TSV本身的破裂。由于TSV電連接多個(gè)芯片，如果由于缺陷的出現(xiàn)TSV形成開路，則TSV不能正確地 起作用。因此，必須用能起作用的TSV來替換有缺陷的TSV。因此，由于TSV的正確連接對于可靠的產(chǎn)品制造是重要的，于是需要確定TSV是否 正確連接的方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例包括用于測試半導(dǎo)體裝置的電路和方法，該電路和方法可以 確定TSV是否連接。在本發(fā)明的一個(gè)方面，一種用于測試半導(dǎo)體裝置的電路包括測試電壓施加單元， 配置用于響應(yīng)于測試模式信號，將測試電壓施加到穿透硅通孔(TSV)的第一端；以及檢測 單元，配置為連接到所述TSV的第二端并且檢測從所述TSV的第二端輸出的電流。在本發(fā)明的另一個(gè)方面，一種測試半導(dǎo)體裝置的方法包括在測試操作期間施加 電流到TSV ；以及將流經(jīng)所述TSV的電流量與參考值進(jìn)行比較。在本發(fā)明的再一方面，一種用于測試半導(dǎo)體裝置的電路包括測試電壓施加單元， 配置用于響應(yīng)于測試模式信號將測試電壓施加到TSV的第一端；以及檢測單元，配置為連 接到所述TSV的第二端，將從所述TSV的第二端輸出的電壓與參考電壓進(jìn)行比較，并產(chǎn)生檢測信號。在本發(fā)明的再一方面，一種用于測試半導(dǎo)體裝置的電路包括測試電壓施加部件， 配置用于響應(yīng)于測試模式信號將測試電壓施加到多個(gè)TSV ；以及確定部件，配置為響應(yīng)于 所述測試模式信號，順序地連接到所述多個(gè)TSV中的一個(gè)TSV。在本發(fā)明的再一方面，一種用于測試半導(dǎo)體裝置的電路包括測試電壓施加部件， 配置用于響應(yīng)于測試模式信號將測試電壓施加到第一 TSV和第二 TSV ；以及確定部件，配置 為響應(yīng)于所述測試模式信號，連接到所述第一 TSV和第二 TSV。


包括在本說明書中并構(gòu)成本說明書的一部分的

與本發(fā)明相一致的各個(gè) 實(shí)施例，并且附圖連同說明書用來解釋本發(fā)明的原理，圖IA和IB是示意性地說明根據(jù)本發(fā) 明的一個(gè)實(shí)施例的用于測試半導(dǎo)體裝置的電路的配置的框圖。圖2是示意性地說明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的用于測試半導(dǎo)體裝置的電路的 配置的框圖。圖3是說明圖2中所示的半導(dǎo)體裝置的確定部件的配置的框圖。圖4是示出圖2中所示的測試電路的操作的時(shí)序圖。
具體實(shí)施例方式結(jié)合附圖，參考以下描述的實(shí)施例，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特點(diǎn)以及實(shí)現(xiàn)它們的方法將 會(huì)變得明顯。然而，本發(fā)明不限于以下描述的示例性實(shí)施例，而可以以不同的方式來實(shí)施。 因此，提供示例性實(shí)施例以便本領(lǐng)域技術(shù)人員能透徹理解本發(fā)明的教導(dǎo)，并完全告知本發(fā) 明的范圍，并且示例性實(shí)施例僅受所附權(quán)利要求的范圍的限制。在整個(gè)說明書中，相同的元 件使用相同的附圖標(biāo)記。圖IA和IB是示意性地說明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的用于測試半導(dǎo)體裝置的電 路的配置的框圖。參考圖IA和圖1B，測試電路包括測試電壓施加單元10、穿透硅通孔(TSV) 以及檢測電路20。測試電壓施加單元10響應(yīng)于測試模式信號TM，將測試電壓Vtest施加 到TSV。測試模式信號TM包括被輸入以測試半導(dǎo)體裝置的信號。當(dāng)輸入測試模式信號TM 時(shí)，測試操作可以開始。因此，如果使能測試模式信號TM并且開始測試操作，則測試電壓施 加單元10將測試電壓Vtest施加到TSV。測試電壓施加單元10可以包括例如金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管。注意，測試 電壓施加單元10可以包括圖IA中的P型金屬氧化物半導(dǎo)體(PM0Q晶體管Pl或者圖IB 中的η型金屬氧化物半導(dǎo)體(NMOQ晶體管W。在圖IA中，PMOS晶體管Pl具有接收測試 模式信號TM的反相信號TMb的柵極、被施加測試電壓Vtest的源極端以及連接到TSV的第 一端的漏極端。在圖IB中，NMOS晶體管m具有接收測試模式信號TM的柵極、被施加測試 電壓Vtest的漏極端以及連接到TSV的第一端的源極端。因此，如果測試模式信號TM被使 能至高電平，測試電壓施加單元10可將測試電壓Vtest施加至TSV的第一端。檢測單元20連接到TSV的第二端。由于檢測單元20連接到TSV的第二端，檢測 單元20可以檢測流經(jīng)TSV的電流或從TSV的第二端輸出的電壓。提供給半導(dǎo)體裝置的壓 點(diǎn)可以用作檢測單元20。此外，檢測單元20可以包括差分放大器。在檢測單元20包括壓點(diǎn)的情形中，壓點(diǎn)可以接收流經(jīng)TSV的電流。通過測試設(shè)備或通過探針檢測可以測量流經(jīng) TSV的電流量。因此，通過比較流經(jīng)TSV的電流量和參考值，可以確定TSV是否正確連接。在檢測單元20包括差分放大器的情形中，檢測單元20可以放大從TSV的第二端 輸出的電壓與參考電壓之間的差值，并且產(chǎn)生檢測信號。由于測試電壓Vtest被施加到TSV 的第一端，如果測試模式信號TM被使能，檢測單元20可以比較從TSV的第二端輸出的電壓 與參考電壓，并且產(chǎn)生檢測信號。如果從TSV的第二端輸出的電壓的電平高于參考電壓的 電平，因?yàn)橐呀?jīng)使能檢測信號，則可以通過檢測信號做出關(guān)于TSV是否正確連接的確定。因 為檢測信號具有關(guān)于TSV正確或不正確連接或TSV斷開的信息，可以在半導(dǎo)體裝置中將檢 測信號用于各種目的，例如修復(fù)?？梢愿鶕?jù)測試電壓Vtest的電平和期望的電平，可以改變參考值和參考電壓。測 試電壓Vtest可以包括例如外部電壓。當(dāng)測試電壓Vtest包括外部電壓時(shí)，考慮構(gòu)成測試 電壓施加單元10的MOS晶體管的閾值電壓和TSV的電導(dǎo)率，可以適當(dāng)?shù)卦O(shè)置參考值和參考 電壓。例如，可以設(shè)置參考值為當(dāng)施加測試電壓Vtest時(shí)能流動(dòng)的電流的最大量的一半，可 以設(shè)置參考電壓為測試電壓Vtest的一半。下面是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于測試半導(dǎo)體裝置的電路的示例性操作。如果測 試模式信號TM被使能且測試電壓Vtest被施加至TSV的第一端，則電流流經(jīng)TSV。檢測單 元20被施加有從TSV的第二端輸出的電流或電壓。如果從TSV的第二端輸出的電流量大于 參考值，則可以確定TSV為正確連接，而如果所述電流量小于參考值，則可以確定TSV為不 正確連接或者斷開。類似地，如果從TSV的第二端輸出的電壓的電平高于參考電壓的電平 從而檢測信號被使能，則可以確定TSV為正確連接。相反地，如果從TSV的第二端輸出的電 壓的電平低于參考電壓的電平從而檢測信號被禁止，則可以確定TSV不正確連接或斷開。因此，在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于測試半導(dǎo)體裝置的電路中，可以用簡單且便 利的方式測試半導(dǎo)體裝置的TSV是否開路或是否短路。然而，因?yàn)榘雽?dǎo)體裝置包括多個(gè) TSV,單個(gè)地檢查TSV的連接是困難且耗時(shí)的。因此，需要一種同時(shí)測試多個(gè)TSV是否開路 或是否短路的方法。圖2是示意性地說明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的用于測試半導(dǎo)體裝置的電路的 配置的框圖。參考圖2，測試電路包括測試電壓施加部件100，標(biāo)記為TSVl、TSV2，TSV3...的 多個(gè)TSV，和確定部件200。響應(yīng)于測試模式信號TM，測試電壓施加部件100將測試電壓Vtest施加至多個(gè) TSV中的各個(gè)TSV，即TSV1、TSV2、TSV3...。如果在對半導(dǎo)體裝置的測試操作開始時(shí)使能測 試模式信號TM，則測試電壓施加部件100將測試電壓Vtest施加至多個(gè)TSV中的各個(gè)TSV， 即TSVl、TSV2、TSV3. ·.。在圖2中，測試電壓施加部件100可以包括分別連接到各個(gè)TSV 即TSV1、TSV2、TSV3. · · ·的第一端的PMOS晶體管。當(dāng)然，測試電壓施加部件100可以包括 如圖1所示的NMOS晶體管。如圖2所示，將理解的是，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以意識到，即使TSV的數(shù)量增 加，可以用相同的方式應(yīng)用本發(fā)明的技術(shù)概念。在圖2中，測試電壓施加部件100包括第一 至第三PMOS晶體管P11、P12和P13。第一 PMOS晶體管Pll具有接收測試模式信號TM的反 相信號TMb的柵極、接收測試電壓Vtest的源極端和連接到第一 TSV即TSVl的第一端的漏 極端。第二 PMOS晶體管P12具有接收測試模式信號TM的反相信號TMb的柵極、接收測試電壓Vtest的源極端和連接到第二 TSV即TSV2的第一端的漏極端。第三PMOS晶體管P13 具有接收測試模式信號TM的反相信號TMb的柵極、接收測試電壓Vtest的源極端和連接到 第三TSV即TSV3的第一端的漏極端。確定部件200可以順序地連接到第一至第三TSV即TSVl、TSV2和TSV3的各個(gè)第 二端一預(yù)定的時(shí)間間隔。當(dāng)確定部件200連接到第一至第三TSV即TSV1、TSV2和TSV3中 的每一個(gè)時(shí)，確定部件200檢測從第一至第三TSV即TSV1、TSV2和TSV3的第二端輸出的電 流或電壓。預(yù)定的時(shí)間間隔可以是周期的或任意的。在圖2中，確定部件200接收測試模 式信號TM、時(shí)鐘信號CLK和復(fù)位信號RST，并檢測通過第一至第三TSV即TSV1、TSV2和TSV3 輸出的電流或電壓。在本實(shí)施例中，由于確定部件200使用時(shí)鐘信號CLK，預(yù)定的時(shí)間間隔 可以對應(yīng)于例如時(shí)鐘信號CLK的一個(gè)周期。確定部件200可以順序地連接到第一至第三TSV即TSV1、TSV2和TSV3中的一個(gè)。 換言之，確定部件200連接到第一至第三TSV即TSV1、TSV2和TSV3中每一個(gè)的時(shí)間間隔彼 此不重疊。在開始測試操作之前，如果復(fù)位信號RST被使能，則初始化確定部件200。如果 測試模式信號TM被使能，則確定部件200可以連接到第一 TSV即TSV1，該連接為時(shí)鐘信號 CLK的一個(gè)周期。隨后，確定部件200可以連接到第二 TSV即TSV2，該連接為時(shí)鐘信號CLK 的一個(gè)周期，此后，確定部件200可以連接到第三TSV即TSV3，該連接為時(shí)鐘信號CLK的一 個(gè)周期。因此，確定部件200與第一至第三TSV即TSV1、TSV2和TSV3中個(gè)每一個(gè)之間的連 接彼此不重疊。圖3是說明圖2所示的確定部件200的配置的框圖。參考圖3，確定部件200包括 選擇信號發(fā)生單元210、選擇單元220和檢測單元230。確定部件200還包括脈沖發(fā)生單元 對0，其配置用于接收測試模式信號TM并產(chǎn)生測試脈沖TM_pulSe。脈沖發(fā)生單元240包括 常規(guī)的脈沖發(fā)生器，當(dāng)測試模式信號TM被使能時(shí)可以產(chǎn)生測試脈沖TM_pulSe。選擇信號發(fā)生單元210接收測試脈沖TM_pulSe、時(shí)鐘信號CLK和復(fù)位信號RST。選 擇信號發(fā)生單元210響應(yīng)于復(fù)位信號RST被初始化，以及響應(yīng)于測試脈沖TM_pulSe和時(shí)鐘 信號CLK產(chǎn)生第一至第三選擇信號Si、S2和S3。當(dāng)測試脈沖TM_pulSe被輸入時(shí)，選擇信 號發(fā)生單元210產(chǎn)生被順序使能的選擇信號Si、S2和S3。選擇單元220響應(yīng)于選擇信號Si、S2和S3，將第一至第三TSV即TSVl、TSV2和 TSV3連接到檢測單元230。更具體地，選擇單元220響應(yīng)于被順序使能的選擇信號Si、S2 和S3，順序地將第一至第三TSV即TSV1、TSV2和TSV3連接到檢測單元230。檢測單元230通過選擇單元220被順序地連接到第一至第三TSV即TSV1、TSV2和 TSV3。當(dāng)檢測單元230連接到第一至第三TSV即TSV1、TSV2和TSV3時(shí)，檢測單元230檢測 通過第一至第三TSV即TSV1、TSV2和TSV3輸出的電流或電壓。在圖3中，選擇信號發(fā)生單元210包括第一至第三觸發(fā)器FF1、FF2和FF3。第一 至第三觸發(fā)器FF1、FF2和FF3串聯(lián)連接，并分別產(chǎn)生選擇信號S1、S2和S3。當(dāng)產(chǎn)生測試脈 沖TM_pulSe時(shí)，第一觸發(fā)器FFl產(chǎn)生與時(shí)鐘信號CLK同步的第一選擇信號Si。第二觸發(fā) 器FF2接收第一選擇信號Sl并產(chǎn)生與時(shí)鐘信號CLK同步的第二選擇信號S2。第三觸發(fā)器 FF3接收第二選擇信號S2并產(chǎn)生與時(shí)鐘信號CLK同步的第三選擇信號S3。由于第二和第 三觸發(fā)器FF2和FF3分別接收第一和第二觸發(fā)器FFl和FF2的輸出，第一至第三選擇信號 Si、S2、S3的使能時(shí)間間隔彼此不重疊，并且可以順序地被限定。
選擇單元220包括第一至第三傳輸門PGl、PG2和PG3。第一至第三傳輸門PG1、PG2 和PG3分別連接到第一至第三TSV即TSV1、TSV2和TSV3的第二端，并且選擇性地傳輸?shù)谝?至第三TSV即TSV1、TSV2和TSV3的第二端的輸出。第一傳輸門PGl響應(yīng)于第一選擇信號 Sl和通過第一反相器IVl反相得到的第一選擇信號Sl的反相信號，將第一 TSV即TSVl的 第二端連接到檢測單元230。第二傳輸門PG2響應(yīng)于第二選擇信號S2和通過第二反相器 IV2反相得到的第二選擇信號S2的反相信號，將第二 TSV即TSV2的第二端連接到檢測單元 230。第三傳輸門PG3響應(yīng)于第三選擇信號S3和通過第三反相器IV3反相得到的第三選擇 信號S3的反相信號，將第三TSV即TSV3的第二端與檢測單元230相連接。檢測單元230可以包括如圖1所示的壓點(diǎn)或差分放大器?？梢杂门c上述圖1的檢 測單元20相同的方式來構(gòu)造檢測單元230。如果如上面所述配置確定部件200，并且如果使能測試模式信號TM，則確定部件 200可以順序地連接到第一至第三TSV即TSVl、TSV2和TSV3，檢測通過第一至第三TSV即 TSVU TSV2和TSV3輸出的電流或電壓，并立即確定第一至第三TSV是否開路或是否短路。圖4是示出圖2所示的測試電路的操作的時(shí)序圖。下面參考圖2-4描述根據(jù)本發(fā) 明的實(shí)施例的用于測試半導(dǎo)體裝置的電路的操作。首先，如果復(fù)位信號RST被使能，則確定部件200被初始化。此后，測試模式信號 TM被使能以開始對半導(dǎo)體裝置的測試操作。如果測試模式信號TM被使能，則測試電壓施加 部件100將測試電壓Vtest施加到第一至第三TSV即TSV1、TSV2和TSV3。如果測試模式信號TM被使能，則脈沖發(fā)生單元240產(chǎn)生測試脈沖TM_pulSe。選擇 信號發(fā)生單元210的第一觸發(fā)器FFl在時(shí)鐘信號CLK的下降沿鎖存測試脈沖TM_pulSe，并 輸出鎖存的信號，直至?xí)r鐘信號CLK的下一個(gè)下降沿。因此，第一觸發(fā)器FFl產(chǎn)生第一選擇 信號Si，第一選擇信號Sl被使能，該使能持續(xù)時(shí)鐘信號CLK的一個(gè)周期。類似地，第二觸發(fā) 器FF2接收第一選擇信號Si,并產(chǎn)生第二選擇信號S2，第二選擇信號S2被使能持續(xù)時(shí)鐘信 號CLK的一個(gè)周期，第三觸發(fā)器FF3接收第二選擇信號S2，并產(chǎn)生第三選擇信號S2，第三選 擇信號S2被使能持續(xù)時(shí)鐘信號CLK的一個(gè)周期。選擇單元220的第一傳輸門PGl響應(yīng)于第一選擇信號Si，將第一 TSV即TSVl連接 到檢測單元230。類似地，選擇單元220的第二傳輸門PG2響應(yīng)于第二選擇信號S2，將第二 TSV即TSV2連接到檢測單元230，選擇單元220的第三傳輸門PG3響應(yīng)于第三選擇信號S3， 將第三TSV即TSV3連接到檢測單元230。如圖4所示，第一至第三傳輸門PGl、PG2和PG3 的輸出是通過第一至第三TSV即TSV1、TSV2和TSV3輸出的電流。在電流的波形中存在峰 值電流。由于在傳輸門PG1、PG2和PG3導(dǎo)通之前，填充有導(dǎo)電材料的TSV有類似于電容器 的作用，在傳輸門PG1、PG2和PG3導(dǎo)通的時(shí)刻產(chǎn)生峰值。當(dāng)連接到第一至第三TSV即TSV1、TSV2和TSV3中的每一個(gè)時(shí)，檢測單元230檢測 已經(jīng)流經(jīng)第一至第三TSV即TSVl、TSV2和TSV3的電流。圖4示出了檢測時(shí)間間隔。優(yōu)選 地，檢測時(shí)刻設(shè)置為第一選擇信號Sl被使能后經(jīng)過一預(yù)定的時(shí)間后的時(shí)刻。如上所述，如 果第一至第三TSV即TSV1、TSV2和TSV3連接到檢測單元230，產(chǎn)生峰值電流。因此，在峰值 電流消失之后檢測流經(jīng)TSV的電流量以確定TSV是否正確連接將是可取的。圖4示出檢測 單元230檢測到的電流量。因?yàn)闄z測單元230檢測到的流經(jīng)第一至第三TSV即TSV1、TSV2 和TSV3的電流即電流量大于參考值，可以確定第一至第三TSV即TSVl、TSV2和TSV3全部是正確連接的。如果檢測到的電流量小于參考值，則可以確定具有小于參考值的檢測電流 量的相應(yīng)TSV為不正確連接。隨后可以用修復(fù)TSV替換沒有正確連接的TSV。從上述描述明顯可知的是，在本發(fā)明中，可以同時(shí)測試形成于半導(dǎo)體裝置中的多 個(gè)TSV是否正確連接。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的測試電路可以精確且便利的方式檢測TSV 的連接或斷開。另外，在本發(fā)明中，可以縮短測試時(shí)間并提高半導(dǎo)體裝置的可靠性。雖然上面已經(jīng)描述了某些實(shí)施例，但是對于本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解的是，描述的 實(shí)施例僅僅是示例描述。因此，不應(yīng)基于描述的實(shí)施例限制在此描述的用于測試半導(dǎo)體裝 置的電路和方法。而是，當(dāng)結(jié)合上面的描述和附圖時(shí)，應(yīng)當(dāng)僅僅根據(jù)所附的權(quán)利要求來限制 在此描述的電路和方法。
權(quán)利要求
1.一種用于測試半導(dǎo)體裝置的電路，包括測試電壓施加單元，配置用于響應(yīng)于測試模式信號將測試電壓施加到穿透硅通孔TSV 的第一端；以及檢測單元，配置為連接到所述TSV的第二端，并且檢測從所述TSV的第二端輸出的電流。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其中，當(dāng)所述測試模式信號被使能時(shí)，所述測試電壓施 加單元將測試電壓施加到所述TSV的第一端。
3.—種測試半導(dǎo)體裝置的方法，包括在測試操作期間施加電流到穿透硅通孔TSV;以及 將流經(jīng)所述TSV的電流量與參考值進(jìn)行比較。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述參考值基本上等于或者小于預(yù)定的電流量。
5.一種用于測試半導(dǎo)體裝置的電路，包括測試電壓施加單元，配置用于響應(yīng)于測試模式信號將測試電壓施加到TSV的第一端；以及檢測單元，配置為連接到所述TSV的第二端，將從所述TSV的第二端輸出的電壓與參考 電壓進(jìn)行比較，并產(chǎn)生檢測信號。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電路，其中，當(dāng)所述測試模式信號被使能時(shí)，所述測試電壓施 加單元將測試電壓施加到所述TSV。
7.一種用于測試半導(dǎo)體裝置的電路，包括測試電壓施加部件，配置用于響應(yīng)于測試模式信號將測試電壓施加到多個(gè)穿透硅通孔 TSV ；以及確定部件，配置為響應(yīng)于所述測試模式信號，順序地連接到所述多個(gè)TSV中的一個(gè)TSV。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電路，其中，當(dāng)所述測試模式信號被使能時(shí)，所述測試電壓施 加部件將測試電壓施加到所述多個(gè)TSV。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電路，其中，所述確定部件包括選擇信號發(fā)生單元，配置用于當(dāng)所述測試模式信號被使能時(shí)，產(chǎn)生與時(shí)鐘信號同步的 多個(gè)選擇信號；選擇單元，配置用于接收所述多個(gè)選擇信號；以及 檢測單元，并且其中，所述選擇單元響應(yīng)于所述多個(gè)選擇信號，將所述多個(gè)TSV連接到所述檢測單元。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電路，其中，所述選擇信號發(fā)生單元產(chǎn)生所述多個(gè)選擇信 號，使得所述多個(gè)選擇信號的使能時(shí)間間隔彼此不重疊。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電路，其中，所述選擇信號發(fā)生單元包括多個(gè)觸發(fā)器；并且 其中，第一觸發(fā)器接收所述測試模式信號和所述時(shí)鐘信號，以及所述多個(gè)觸發(fā)器的其余觸發(fā)器中的每一個(gè)觸發(fā)器接收所述時(shí)鐘信號和與其緊鄰的前一個(gè)觸發(fā)器的輸出。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電路，其中，所述選擇單元包括多個(gè)傳輸門，該多個(gè)傳輸門 響應(yīng)于所述多個(gè)選擇信號，將所述多個(gè)TSV與所述檢測單元連接。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電路，其中，在使能對應(yīng)的選擇信號預(yù)定的時(shí)間之后，所述檢測單元檢測從所述多個(gè)TSV中的每一個(gè)TSV輸出的電流。
14.一種用于測試半導(dǎo)體裝置的電路，包括測試電壓施加部件，配置用于響應(yīng)于測試模式信號將測試電壓施加到第一穿透硅通孔 TSV和第二穿透硅通孔TSV ；以及確定部件，配置為響應(yīng)于所述測試模式信號，連接到第一 TSV和第二 TSV。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電路，其中，當(dāng)所述測試模式信號被使能時(shí)，所述測試電壓 施加部件將測試電壓施加到第一 TSV和第二 TSV。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電路，其中，所述確定部件連接到第一TSV和第二 TSV中的 每一個(gè)的時(shí)間間隔彼此不重疊。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電路，其中，所述確定部件包括選擇信號發(fā)生單元，配置用于當(dāng)所述測試模式信號被使能時(shí)，產(chǎn)生與時(shí)鐘信號同步的 第一選擇信號和第二選擇信號； 第一選擇單元； 第二選擇單元；以及 檢測單元，并且其中，當(dāng)?shù)谝贿x擇信號被使能時(shí)，第一選擇單元將第一 TSV連接到所述檢測單元，以及 當(dāng)?shù)诙x擇信號被使能時(shí)，第二選擇單元將第二 TSV連接到所述檢測單元。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的電路，其中，所述第一選擇信號和第二選擇信號的時(shí)間間 隔彼此不重疊。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的電路，其中，所述選擇信號發(fā)生單元包括第一觸發(fā)器，配置用于接收所述測試模式信號和所述時(shí)鐘信號，并產(chǎn)生第一選擇信號；以及第二觸發(fā)器，配置用于接收所述時(shí)鐘信號和第一選擇信號，并產(chǎn)生第二選擇信號。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的電路，其中，在使能第一選擇信號預(yù)定的時(shí)間之后，所述檢 測單元檢測從第一 TSV輸出的電流，以及在使能第二選擇信號預(yù)定的時(shí)間之后，所述檢測 單元檢測從第二 TSV輸出的電流。
全文摘要
一種用于測試半導(dǎo)體裝置的電路，包括配置用于響應(yīng)于測試模式信號、將測試電壓施加到穿透硅通孔(TSV)的第一端的測試電壓施加單元，以及配置為連接到所述TSV的第二端并檢測從所述TSV的第二端輸出的電流的檢測單元。
文檔編號G01R19/165GK102053207SQ20101000110
公開日2011年5月11日 申請日期2010年1月12日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月29日
發(fā)明者丘泳埈, 崔珉碩, 李鍾天, 邊相鎮(zhèn) 申請人:海力士半導(dǎo)體有限公司