技術(shù)編號(hào)：6328373
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體工藝加熱器溫度控制，尤其涉及一種。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體工藝和集成度的不斷提高，對硅片表面的工藝處理精度提出了更高的要求，這些都依賴于工藝過程中的溫度控制的精度，而溫度的變化過程是一個(gè)慣性加滯后的過程，為了補(bǔ)償這種滯后特性縮短工藝時(shí)間進(jìn)而提高產(chǎn)能，在溫度控制算法中加入了前饋補(bǔ)償算法。特別是對于立式多溫區(qū)熱處理設(shè)備，因?yàn)闊崃肯蚍磻?yīng)室上部聚集，并且反應(yīng)室下部因結(jié)構(gòu)原因熱損失較大，這樣如果給各溫區(qū)相同的功率輸入，它們的升(降)溫曲線和滯后的時(shí)間都有差...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。