技術編號：6445343
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體存儲裝置，尤其是涉及通過使用常規(guī)存儲體(normalbank)可高速讀寫的動態(tài)隨機存取存儲體(DRAM)。背景技術 近來，中央處理單元(CPU)的運算速度實質上改進得較DRAM為快。結果，因DRAM相對于CPU具有較低運算速度導致各種不同問題產(chǎn)生。因此，為了解決這些問題，高性能DRAM的各種不同結構已被研發(fā)出來。首先，降低物理參數(shù)的方法，如位線及字線的電阻和電容可加以考慮，其是因DRAM的數(shù)據(jù)存取時間是強烈地依據(jù)這些參數(shù)。然而，當通過制作較...
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