技術(shù)編號(hào)：6621430
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種利用DRAM不良品的方法，通過在工廠生產(chǎn)、系統(tǒng)自檢和使用過程中動(dòng)態(tài)檢測(cè)DRAM中的錯(cuò)誤Cell，記錄記錄缺陷地址信息和查找Cell的替代Cell的替代地址信息，并更新缺陷表格，系統(tǒng)訪問時(shí)根據(jù)缺陷表格中記錄的信息正確的訪問無錯(cuò)誤的Cell，通過動(dòng)態(tài)增加缺陷列表來存儲(chǔ)DRAM芯片的缺陷地址信息和替換地址信息，可實(shí)現(xiàn)將％80以上的DRAM廢品顆粒變?yōu)榭捎妙w粒，隨著DRAM制程向納米級(jí)發(fā)展，經(jīng)濟(jì)效益將會(huì)更加明顯，且能夠解決在DRAM顆粒在出廠后、使...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
請(qǐng)注意，此類技術(shù)沒有源代碼，用于學(xué)習(xí)研究技術(shù)思路。