一種利用dram不良品的方法【專利摘要】本發(fā)明公開了一種利用DRAM不良品的方法，通過在工廠生產(chǎn)、系統(tǒng)自檢和使用過程中動態(tài)檢測DRAM中的錯誤Cell，記錄記錄缺陷地址信息和查找Cell的替代Cell的替代地址信息，并更新缺陷表格，系統(tǒng)訪問時根據(jù)缺陷表格中記錄的信息正確的訪問無錯誤的Cell，通過動態(tài)增加缺陷列表來存儲DRAM芯片的缺陷地址信息和替換地址信息，可實現(xiàn)將％80以上的DRAM廢品顆粒變?yōu)榭捎妙w粒，隨著DRAM制程向納米級發(fā)展，經(jīng)濟效益將會更加明顯，且能夠解決在DRAM顆粒在出廠后、使用中逐漸出現(xiàn)的錯誤，將使用過程中發(fā)現(xiàn)變壞的Cell的地址信息可以被動態(tài)地加入到缺陷表格中，從而延長系統(tǒng)的使用壽命?！緦＠f明】-種利用DRAM不良品的方法【
技術(shù)領(lǐng)域：
】[0001]本發(fā)明涉及信息存儲領(lǐng)域，尤其涉及一種生產(chǎn)過程中帶有壞塊的DRAM不良品的方法?！?br>背景技術(shù)：
】[0002]DRAM是傳統(tǒng)的PC、服務(wù)器中不可缺少的主存儲設(shè)備，同時也是當(dāng)今如日中天的移動智能設(shè)備的必備。然而，隨著DRAM制造的工藝節(jié)點不斷的向下演進，其制造過程中出現(xiàn)的缺陷越來越多，造成良率的不斷下降。業(yè)界通常在DRAM內(nèi)部設(shè)計冗余的Row(行）和Column(列）來替代有缺陷的行和列。[0003]例如，在4x4的Cell(存儲單元）陣列中，WL4和BL8分別為冗余的行、列，假設(shè)有兩個Cell(WL1，BL2)(WL3,BL4)出現(xiàn)了缺陷，表現(xiàn)為讀或者寫功能不正常，通常的做法是用行、列替換的辦法：采用BL8替代BL2，WL4替代WL3。這個替代動作由地址譯碼電路來完成：列地址譯碼器將對BL2的訪問被映射到BL8;行地址譯碼器將對WL3的訪問映射到WL4。[0004]這個傳統(tǒng)的辦法可以解決當(dāng)前的大部分狀況：錯誤Cell比較集中數(shù)量可能很多，但主要分布在少量的行或者列上面，且在使用過程中基本不會動態(tài)增加。從這個行列替代的方法可以看出，冗余的行、列的Cell使用效率很低，分別只有1/9和1/5。如果Cell(WL2，BL3)再出錯，則只能依靠增加更多的冗余的行、列來替代了。DRAM廠商出于成本的考慮，不會無限增加冗余的行、列的數(shù)量。因此，仍然會有一定比例的DRAM芯片因為錯誤的Cell個數(shù)或者分布超過了冗余的行、列的替換能力而被作為不良品廢棄。這個問題隨著制造工藝節(jié)點進一步變小而變得更加嚴重，所以需要一種能夠提高DRAM利用率的方法。[0005]另外，這個傳統(tǒng)的辦法只能在DRAM廠商測試DRAM顆粒的時候進行，在賣到系統(tǒng)廠商之后不能做任何修改。也就是說，DRAM顆粒在系統(tǒng)上使用過程中出現(xiàn)的一些Cell慢慢變壞的這類錯誤傳統(tǒng)的行、列替代法無能為力。這類錯誤一旦出現(xiàn)，一般只能返修，更換出現(xiàn)問題的顆粒，且可能造成整個產(chǎn)品或設(shè)備報廢，成本很高?！?br/>發(fā)明內(nèi)容】[0006]針對DRAM芯片在工廠生產(chǎn)時錯誤的Cell個數(shù)或者分布超過了冗余的行、列的替換能力和DRAM芯片在使用過程中動態(tài)產(chǎn)生錯誤的Cell造成整個DRAM報廢，無法正常使用的缺陷，本發(fā)明通過增加可動態(tài)更新的缺陷表格來實現(xiàn)可繼續(xù)使用上述需要報廢的不良品的目的。[0007]為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明目的在于提出了一種利用DRAM不良品的方法，其特征在于：[0008]步驟1.1，系統(tǒng)自檢或自動測試機測試DRAM，查找DRAM中出現(xiàn)錯誤的Ce11，并記錄缺陷地址信息；[0009]步驟1.2,確定可替代步驟1.1查找到的Cell的替代Cell的替代地址信息；[0010]步驟1.3,將步驟1.2和步驟1.1獲取到的缺陷地址信息和替代地址信息創(chuàng)建缺陷表格，所述缺陷表格至少存儲了DRAM不良品的所有缺陷地址信息和替代地址信息；[0011]步驟1.4,系統(tǒng)訪問DRAM，系統(tǒng)總線通過地址映射單元相訪問DRAM，地址映射單元接收到系統(tǒng)總線請求的地址信息，查詢?nèi)毕荼砀瘢鶕?jù)缺陷表格中的信息，判斷當(dāng)前訪問的地址信息是否需要地址重映射，如果需要則通過地址映射單元將替代地址替代缺陷地址實現(xiàn)系統(tǒng)總線所要訪問的地址轉(zhuǎn)換成實際無缺陷的地址，保證系統(tǒng)總線訪問地址的連續(xù)性和正確性。[0012]所述的利用DRAM不良品的方法，其特征在于還包括計算DRAM的有效地址范圍，將DRAM原始物理Cell總數(shù)減去出現(xiàn)錯誤的Cell得到有效的Cell總數(shù)，實現(xiàn)計算DRAM的有效地址范圍，并將該信息反饋給系統(tǒng)，系統(tǒng)根據(jù)該信息計算有效地址范圍。[0013]所述的利用DRAM不良品的方法，其特征在于在DRAM內(nèi)部設(shè)置一個微處理器，微處理器設(shè)置有DRAM自檢程序，系統(tǒng)上電后，微處理器自動執(zhí)行DRAM自檢程序，更新缺陷表格的信息，同時實現(xiàn)計算DRAM的有效地址范圍，并將該信息反饋給系統(tǒng)。[0014]所述的微處理器上還設(shè)有校驗程序，校驗在讀/寫DRAM過程中是否出現(xiàn)Cell錯誤，如果出現(xiàn)Cell錯誤，則記錄缺陷地址信息并確定可替代Cell的替代地址信息，更新缺陷表格信息。[0015]本發(fā)明通過動態(tài)增加缺陷列表來存儲DRAM芯片的缺陷地址信息和替換地址信息，可實現(xiàn)將％80以上的DRAM廢品顆粒變?yōu)榭捎妙w粒，隨著DRAM制程向納米級發(fā)展，經(jīng)濟效益將會更加明顯，且能夠解決在DRAM顆粒在出廠后、使用中逐漸出現(xiàn)的錯誤，將使用過程中發(fā)現(xiàn)變壞的Cell的地址信息可以被動態(tài)地加入到缺陷表格中，從而延長系統(tǒng)的使用壽命。【專利附圖】【附圖說明】[0016]圖1是：利用DRAM不良品的方法的系統(tǒng)框圖；[0017]圖2是：本發(fā)明一種具體實施例地址轉(zhuǎn)換示意圖。【具體實施方式】[0018]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。[0019]圖1是利用DRAM不良品的方法的系統(tǒng)框圖，外部系統(tǒng)總線由地址總線Addressbus和數(shù)據(jù)總線Databusg構(gòu)成，地址總線Addressbus與地址映射單元Address_remap_unit相連接，地址映射單元Address_remap_unit將地址總線Addressbus輸入的外部系統(tǒng)請求訪問地址查詢?nèi)毕荼砀馜efect_table，缺陷表格Defect_table存儲了系統(tǒng)中所有DRAM芯片的所有缺陷地址及其替代地址信息，地址映射單元Address_remap_unit根據(jù)缺陷表格Defect_table中的信息將系統(tǒng)總線請求的訪問地址轉(zhuǎn)換成為實際的DRAM無缺陷的重定位地址Address_remap，有缺陷的地址被跳過，從而保證從系統(tǒng)總線上看到的DRAM地址空間仍然是連續(xù)的，雖然總長度減小了。減小的地址空間數(shù)量就取決于DRAM的缺陷地址個數(shù)和分布。最終，經(jīng)過Address_remap_unit轉(zhuǎn)換后的重定位地址Address_remap通過DRAM控制器DRAM_ctrl在DRAMchips中都尋址到的都是沒有缺陷Cell，最終實現(xiàn)DRAM的訪問。[0020]圖2是本發(fā)明一種具體實施例地址轉(zhuǎn)換示意圖，DRAM的實際物理空間為256byte，缺陷列表包括如下信息和有效DRAM大小DRAM_SIZE信息：[0021]【權(quán)利要求】1.一種利用DRAM不良品的方法，其特征在于：步驟1.1，系統(tǒng)自檢或自動測試機測試DRAM，查找DRAM中出現(xiàn)錯誤的Cel1，并記錄缺陷地址信息；步驟1.2,確定可替代步驟1.1查找到的Cell的替代Cell的替代地址信息；步驟1.3,將步驟1.2和步驟1.1獲取到的缺陷地址信息和替代地址信息創(chuàng)建缺陷表格，所述缺陷表格至少存儲了DRAM不良品的所有缺陷地址信息和替代地址信息；步驟1.4,系統(tǒng)訪問DRAM，系統(tǒng)總線通過地址映射單元相訪問DRAM，地址映射單元接收到系統(tǒng)總線請求的地址信息，查詢?nèi)毕荼砀瘢鶕?jù)缺陷表格中的信息，判斷當(dāng)前訪問的地址信息是否需要地址重映射，如果需要則通過地址映射單元將替代地址替代缺陷地址實現(xiàn)系統(tǒng)總線所要訪問的地址轉(zhuǎn)換成實際無缺陷的地址，保證系統(tǒng)總線訪問地址的連續(xù)性和正確性。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用DRAM不良品的方法，其特征在于還包括計算DRAM的有效地址范圍，將DRAM原始物理Cell總數(shù)減去出現(xiàn)錯誤的Cell得到有效的Cell總數(shù)，實現(xiàn)計算DRAM的有效地址范圍，并將該信息反饋給系統(tǒng)，系統(tǒng)根據(jù)該信息計算有效地址范圍。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的利用DRAM不良品的方法，其特征在于在DRAM內(nèi)部設(shè)置一個微處理器，微處理器設(shè)置有DRAM自檢程序，系統(tǒng)上電后，微處理器自動執(zhí)行DRAM自檢程序，更新缺陷表格的信息，同時實現(xiàn)計算DRAM的有效地址范圍，并將該信息反饋給系統(tǒng)。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的利用DRAM不良品的方法，其特征在于所述的微處理器上還設(shè)有校驗程序，校驗在讀/寫DRAM過程中是否出現(xiàn)Cell錯誤，如果出現(xiàn)Cell錯誤，則記錄缺陷地址信息并確定可替代Cell的替代地址信息，更新缺陷表格信息?！疚臋n編號】G06F12/02GK104111895SQ201410361135【公開日】2014年10月22日申請日期:2014年7月25日優(yōu)先權(quán)日:2014年7月25日【發(fā)明者】黃運新申請人:記憶科技(深圳)有限公司