技術(shù)編號：6746230
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體存儲裝置，尤其是在內(nèi)部裝有將外部電源電壓降壓并生成內(nèi)部電源電壓的內(nèi)部電源降壓電路的半導(dǎo)體存儲裝置。更具體地說，本發(fā)明涉及用于使內(nèi)部電源電壓電路在接通電源時的消耗電流減小的結(jié)構(gòu)。隨著半導(dǎo)體存儲裝置存儲容量的增大及日益高度集成化，作為構(gòu)成要素的晶體管元件也日趨微細化。為保證這種微細化的晶體管元件的可靠性以及為減小耗電量，希望能降低工作電源電壓。通過降低工作電源電壓來保證作為構(gòu)成要素的MOS晶體管(絕緣柵型場效應(yīng)晶體管)的柵極絕緣膜的可靠性，同時...
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