技術(shù)編號(hào)：6754368
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置及其測(cè)試方法和內(nèi)設(shè)于該半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的測(cè)試電路。附圖說明圖1是表示具有這種測(cè)試電路的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，具體而言，表示虛擬SRAM(虛擬靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)的構(gòu)成例的方框圖。該現(xiàn)有的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的構(gòu)成，例如由特開平1-125796號(hào)公開，該半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置具有以下構(gòu)成。存儲(chǔ)器陣列1具有存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的多個(gè)存儲(chǔ)單元。讀出放大器2連接于存儲(chǔ)器陣列1，放大來自存儲(chǔ)器陣列1的數(shù)據(jù)。列I/O電路3連接于存儲(chǔ)器陣列1中的存儲(chǔ)單元的比特線，選擇性地激活...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
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