技術(shù)編號：6757642
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及磁阻存儲技術(shù)，更具體地說，本發(fā)明涉及采用磁阻存儲元件、被插入具有其它邏輯模塊的系統(tǒng)或集成電路內(nèi)的模擬功能模塊。相關(guān)技術(shù)磁阻存儲技術(shù)當前正在被開發(fā)以用于諸如磁阻隨機存取存儲器(MRAM)器件等。當前還在研究將MRAM技術(shù)集成到互補金屬氧化物半導體(CMOS)。在已頒布的各種專利中公開了各種MRAM技術(shù)、制造方法以及相關(guān)性能，它們包括標題為“Magnetic RandomAccess Memory and Fabricating Method The...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
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