技術(shù)編號：6766223
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。一種濺射靶，其包含含有Co的金屬基質(zhì)相和6～25摩爾％的形成粒子并分散存在的氧化物的相(以下稱為“氧化物相”)，其特征在于，XRD的單峰中最高峰的積分寬度為0.7以下。本發(fā)明提供可以抑制濺射時初期粉粒的產(chǎn)生并縮短預(yù)燒時間，并且在濺射時可以得到穩(wěn)定的放電的非磁性材料粒子分散型濺射靶。專利說明派射祀 [0001] 本發(fā)明涉及用于磁記錄介質(zhì)的磁性體薄膜、特別是采用垂直磁記錄方式的硬盤的 磁記錄層的成膜的姍射祀，并且涉及初期粉粒少、姍射時能夠得到穩(wěn)定的放電的...
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