技術(shù)編號(hào):6766443
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。一種,包括提供閃存,包括若干閃存單元;閃存單元包括半導(dǎo)體襯底、位于半導(dǎo)體襯底上的字線、位于字線一側(cè)的第一浮柵結(jié)構(gòu)、第一控制柵結(jié)構(gòu)、第一字線、位于所述字線另一側(cè)的第二浮柵結(jié)構(gòu)、第二控制柵結(jié)構(gòu)、第二摻雜區(qū);對(duì)所述閃存單元進(jìn)行修復(fù)操作,所述修復(fù)操作包括在第二控制柵上施加第一電壓,當(dāng)?shù)诙沤Y(jié)構(gòu)的邏輯狀態(tài)為“1”時(shí),所述第一電壓使第二浮柵結(jié)構(gòu)下方的半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成反型層,在第二浮柵結(jié)構(gòu)的邏輯狀態(tài)為“0”時(shí),第二浮柵結(jié)構(gòu)下方的半導(dǎo)體襯底無(wú)法形成反型層;在第一摻雜區(qū)上...
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