技術編號：6774487
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種用于對多位電荷俘獲存儲單元的存儲單元陣列進行編程的方法，這些存儲單元陣列通過在溝道區(qū)的任一端注入熱空穴來編程。背景技術 具有電荷俘獲層的存儲器件(尤其是包括氧化物-氮化物-氧化物層序列作為存儲介質的SONOS存儲單元)通常通過溝道熱電子注入來編程。美國專利No.5,768,192和美國專利No.6,011,725公開了特殊類型的所謂的NROM單元的電荷俘獲存儲單元，該電荷俘獲存儲單元可被用于在相應柵極邊緣之下的源極處和漏極處都存儲信息位，這兩...
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