技術(shù)編號：6778163
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及改善SRAM匹配度的方法。 背景技術(shù)靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)是現(xiàn)在廣泛應(yīng)用的半導(dǎo)體存儲器。因靜態(tài) 隨機(jī)存取存儲器單元只要不掉電，即使沒有任何周期性的刷新操作，數(shù)據(jù)也 不會丟失，因此我們稱這種存儲電路是靜態(tài)的。靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器存取速 度高、功耗低，因此主要作為微處理器、大型機(jī)、工作站以及許多便攜設(shè)備 的高速緩沖存儲器。目前常用的靜態(tài)存儲器單元有雙端口靜態(tài)存儲器單元，所述單元電路參 照圖2所示，包括兩個背靠背的第一反相器和第二反相器，即第一反...
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