技術(shù)編號(hào):6779481
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明有關(guān)一種存儲(chǔ)器讀取電路,特別是一種應(yīng)用于4狀態(tài)以上的多狀態(tài)存儲(chǔ)器的讀取電路。 背景技術(shù)一般4狀態(tài)的磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Magnetic Random Access Memory, MRAM),由1大1小的磁阻式存儲(chǔ)細(xì)胞所組成,如圖5A所示,電阻R1、 R2通過(guò)改變存儲(chǔ)層磁性材料的磁化方向,來(lái)更改存儲(chǔ)細(xì)胞電阻值,因?yàn)榇?儲(chǔ)細(xì)胞內(nèi)邏輯狀態(tài)0與1時(shí)具有不同電阻值,在對(duì)存儲(chǔ)細(xì)胞施加偏壓后,便 會(huì)有不同的電流,通過(guò)判斷電流的大小來(lái)得知存儲(chǔ)細(xì)胞內(nèi)邏輯狀態(tài)O或1...
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