技術編號：6791791
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及太陽能電池領域，具體涉及一種基于GaAs襯底采用晶格異變緩沖層的晶格匹配的InAlAs/InGaAsP/InGaAs，該三結太陽電池可實現(xiàn)對太陽光譜的充分利用，在聚光下具有高于51%的理論轉換效率。背景技術在II1-V族太陽電池領域，通常采用多結體系實現(xiàn)對太陽光譜的分段吸收利用，以獲得較高的轉換效率。目前研究較多而且技術較為成熟的體系是GalnP/GaAs/Ge和GalnP/GaAs/InGaAsfl.0 eV)三結電池。前者在一個太陽下目前達到...
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