技術(shù)編號(hào)：6835238
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬集成電路工藝，具體涉及一種不使用有源區(qū)硬掩膜和化學(xué)機(jī)械拋光工藝流程的淺溝隔離制造工藝。背景技術(shù) 在半導(dǎo)體集成電路工藝中，傳統(tǒng)的隔離技術(shù)是自對(duì)準(zhǔn)場(chǎng)氧化隔離技術(shù)，即以硬掩膜掩蔽有源區(qū)，將場(chǎng)區(qū)的襯底硅暴露，然后用熱氧化的方法，產(chǎn)生隔離區(qū)氧化硅。這種方法簡(jiǎn)單，實(shí)用性強(qiáng)，所用生產(chǎn)工藝成熟，缺點(diǎn)是會(huì)在有源區(qū)邊界形成‘鳥(niǎo)嘴’區(qū)，如圖1所示成為深亞微米工藝的發(fā)展中提高集程度的瓶頸。實(shí)踐中，‘鳥(niǎo)嘴’的尺寸很難減少到0.1μm以下。因此，當(dāng)微電子工藝的特征尺寸減小到0...
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