技術(shù)編號(hào)：6841043
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體元件，特別是涉及一種在不同芯片區(qū)具有不同柵介電質(zhì)的半導(dǎo)體芯片。背景技術(shù)在過(guò)去數(shù)十年中，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的尺寸不斷縮小，使得集成電路的速度、密度和每單位功能的成本都得到了改善。但是，當(dāng)普通MOSFET的柵極長(zhǎng)度縮小時(shí)，會(huì)產(chǎn)生柵極可能無(wú)法控制通道開關(guān)狀態(tài)的問(wèn)題，這種現(xiàn)象稱為短通道效應(yīng)。短通道效應(yīng)在元件尺寸縮至0.13微米以下時(shí)會(huì)變得非常顯著，而其主要解決方法是在縮小晶體管尺寸的同時(shí)，縮小柵介電質(zhì)的厚度。MOS...
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