技術(shù)編號(hào)：6854560
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體工藝，特別是涉及一種防止晶邊區(qū)膜層剝落的半導(dǎo)體制造方法與內(nèi)連線的制作方法。背景技術(shù) 一般來(lái)說(shuō)，在制作集成電路時(shí)，會(huì)用各種技術(shù)形成多層堆棧的結(jié)構(gòu)，以提供不同的作用，比如導(dǎo)電層、介電層、絕緣層或是用于增加兩層間附著力的黏著層，同時(shí)也采用不同的材料以使元件達(dá)到最佳的效能。舉例來(lái)說(shuō)，在現(xiàn)有的集成電路工藝中，于基底上沉積介電層之后，會(huì)在介電層上先形成一層光致抗蝕劑層，然后對(duì)芯片的正面與背面分別進(jìn)行洗邊步驟，以去除晶邊區(qū)的光致抗蝕劑層，然后再將介電...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。