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      防止晶邊區(qū)膜層剝落的半導(dǎo)體制造方法與內(nèi)連線制作方法

      文檔序號:6854560閱讀:215來源:國知局
      專利名稱:防止晶邊區(qū)膜層剝落的半導(dǎo)體制造方法與內(nèi)連線制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體工藝,特別是涉及一種防止晶邊區(qū)膜層剝落的半導(dǎo)體制造方法與內(nèi)連線的制作方法。
      背景技術(shù)
      一般來說,在制作集成電路時,會用各種技術(shù)形成多層堆棧的結(jié)構(gòu),以提供不同的作用,比如導(dǎo)電層、介電層、絕緣層或是用于增加兩層間附著力的黏著層,同時也采用不同的材料以使元件達到最佳的效能。
      舉例來說,在現(xiàn)有的集成電路工藝中,于基底上沉積介電層之后,會在介電層上先形成一層光致抗蝕劑層,然后對芯片的正面與背面分別進行洗邊步驟,以去除晶邊區(qū)的光致抗蝕劑層,然后再將介電層圖案化。之后,再于介電層上形成其它膜層或進行后續(xù)其它工藝。
      然而,因為基底正面的晶邊區(qū)上的光致抗蝕劑層被去除,所以進行蝕刻工藝之后,位于晶邊區(qū)的介電層也會被移除而暴露出基底。晶邊區(qū)的基底在后續(xù)進行其它工藝時,易產(chǎn)生缺陷,使得后續(xù)工藝中的有機雜質(zhì)沉積在其表面上。當(dāng)后續(xù)的膜層形成于基底上時,晶邊區(qū)的有機雜質(zhì)易受熱產(chǎn)生氣泡,進而使膜層產(chǎn)生剝離(peeling)的現(xiàn)象,造成產(chǎn)品損毀并且會影響機器,使后續(xù)整批的基底受損,以致于產(chǎn)品成品率大幅降低。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明的目的就是在提供一種防止晶邊區(qū)膜層剝落的半導(dǎo)體制造方法,必面位于晶邊區(qū)的基底于工藝中暴露出來而遭到損害。
      本發(fā)明的另一目的就是在提供一種防止晶邊區(qū)膜層剝落的半導(dǎo)體制造方法,可使介電層留在基底的晶邊區(qū)上,避免暴露出基底。
      本發(fā)明的再一目的就是在提供一種內(nèi)連線的制作方法,可避免位于晶邊區(qū)的膜層產(chǎn)生剝離,以維持產(chǎn)品的成品率。
      本發(fā)明提出一種防止晶邊區(qū)膜層剝落的半導(dǎo)體制造方法,首先,提供一基底,此基底具有正面與背面,其中正面包括基底的上表面與側(cè)邊上半部,而背面包括基底的下表面與側(cè)邊下半部,且上表面具有一晶邊區(qū)與一中心區(qū),此晶邊區(qū)環(huán)繞上表面外緣。接著,于基底的正面上形成一層介電層。然后,形成一層光致抗蝕劑層,此光致抗蝕劑層覆蓋基底的正面、側(cè)邊下半部與部分下表面。之后,僅對基底的背面進行洗邊步驟,以去除基底的背面上的光致抗蝕劑層,而保留位于晶邊區(qū)的光致抗蝕劑層。
      依照本發(fā)明實施例所述的防止晶邊區(qū)膜層剝落的半導(dǎo)體制造方法,上述的晶邊區(qū)的寬度例如為5mm。
      依照本發(fā)明實施例所述的防止晶邊區(qū)膜層剝落的半導(dǎo)體制造方法,上述的形成介電層的方法例如為高密度等離子體化學(xué)氣相沉積法(high densityplasma chemical vapor deposition,HDPCVD)。
      依照本發(fā)明實施例所述的防止晶邊區(qū)膜層剝落的半導(dǎo)體制造方法,上述的介電層的材料例如為氧化硅。
      依照本發(fā)明實施例所述的防止晶邊區(qū)膜層剝落的半導(dǎo)體制造方法,上述的洗邊步驟例如為邊緣珠滴清洗法(edge bead rinse,EBR)。
      依照本發(fā)明實施例所述的防止晶邊區(qū)膜層剝落的半導(dǎo)體制造方法,上述的形成光致抗蝕劑層的方法例如為旋轉(zhuǎn)涂布。
      本發(fā)明還提出一種防止晶邊區(qū)膜層剝落的半導(dǎo)體制造方法,首先,于基底的正面上形成一層介電層。然后,在圖案化介電層時,保留位于基底的晶邊區(qū)的介電層。
      依照本發(fā)明實施例所述的防止晶邊區(qū)膜層剝落的半導(dǎo)體制造方法,上述的保留位于基底的晶邊區(qū)的介電層的方法例如是先形成一層光致抗蝕劑層,此光致抗蝕劑層覆蓋基底的正面、側(cè)邊下半部與部分下表面。然后,僅對基底的背面進行洗邊步驟,以去除基底的背面上的光致抗蝕劑層。之后,圖案化位于基底的中心區(qū)的介電層。
      本發(fā)明再提出一種內(nèi)連線的制作方法,首先,于基底的正面上形成一層介電層。然后,于基底上形成一層光致抗蝕劑層,此光致抗蝕劑層覆蓋基底的正面、側(cè)邊下半部與部分下表面。接下來,僅對基底的下表面與側(cè)邊下半部進行洗邊步驟,以去除基底的背面上的光致抗蝕劑層。然后,將光致抗蝕劑層圖案化,并進行蝕刻工藝,以將基底正面的中心區(qū)的介電層圖案化,保留基底的晶邊區(qū)的介電層。之后于介電層上形成圖案化導(dǎo)體層。
      本發(fā)明因在進行洗邊(edge rinse)步驟時,僅利用邊緣珠滴清洗法(EBR)對基底的背面進行清洗,來去除基底背面的光致抗蝕劑層,而不對基底正面的晶邊區(qū)進行洗邊步驟,如此一來,在后續(xù)的工藝中介電層便可以保留在晶邊區(qū)的基底上,使得基底在后續(xù)的工藝中不會外露,而產(chǎn)生有機雜質(zhì)沉積在基底上的現(xiàn)象,進而避免后續(xù)于晶邊區(qū)產(chǎn)生的膜層(如介電層)產(chǎn)生剝離,以維持產(chǎn)品的成品率。
      為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂,以下配合附圖以及優(yōu)選實施例,以更詳細地說明本發(fā)明。


      圖1A為依照本發(fā)明實施例所繪示的防止晶邊區(qū)膜層剝落的半導(dǎo)體制造方法的步驟流程圖。
      圖1B繪示為晶片的上視圖。
      圖2A至圖2C為依照本發(fā)明實施例所繪示的內(nèi)連線的制作方法的流程剖面圖。
      簡單符號說明100~106步驟200基底202上表面204側(cè)邊上半部206下表面208側(cè)邊下半部210晶邊區(qū)212中心區(qū)214柵極216柵介電層217間隙壁218源極/漏極區(qū)220介電層222光致抗蝕劑層223開口
      224導(dǎo)體層具體實施方式
      圖1A為依照本發(fā)明實施例所繪示的防止晶邊區(qū)膜層剝落的半導(dǎo)體制造方法的步驟流程圖。請參照圖1A,首先,在步驟100中,提供一基底,此基底具有正面與背面,其中基底正面包括基底的上表面與側(cè)邊上半部,而基底背面包括基底的下表面與側(cè)邊下半部。此外,基底的上表面具有一晶邊區(qū),此晶邊區(qū)環(huán)繞基底上表面的外緣。晶邊區(qū)的寬度例如為5mm。接著,在步驟102中,于基底的正面上形成一層介電層,并覆蓋晶邊區(qū)。介電層的材料例如為氧化硅,形成方法例如為高密度等離子體化學(xué)氣相沉積法。然后,在步驟104中,于基底上以例如為旋轉(zhuǎn)涂布的方式形成一層光致抗蝕劑層,此光致抗蝕劑層覆蓋基底的正面、側(cè)邊下半部與部分下表面。之后,在步驟106中,僅對基底的背面進行洗邊步驟,以去除基底的背面上的光致抗蝕劑層,其中洗邊步驟例如為邊緣珠滴清洗法。在此步驟中,對于基底正面的光致抗蝕劑層則不進行洗邊步驟,其目的在于保留位于晶邊區(qū)上的光致抗蝕劑層,而在將光致抗蝕劑層圖案化時,晶邊區(qū)的光致抗蝕劑層亦不去除,因此,在進行蝕刻工藝以圖案化介電層時,位于晶邊區(qū)上的介電層便不會被移除,而不致使晶邊區(qū)的基底暴露出來,故可以防止后續(xù)工藝反應(yīng)產(chǎn)生的副產(chǎn)物,如有機雜質(zhì),沉積于基底上,避免后續(xù)于晶邊區(qū)產(chǎn)生的膜層產(chǎn)生剝離。
      以下將以內(nèi)連線結(jié)構(gòu)為例,對本發(fā)明的防止晶邊區(qū)膜層剝落的半導(dǎo)體制造方法作說明。
      圖1B繪示為晶片的上視圖。圖2A至圖2C為依照本發(fā)明實施例所繪示的內(nèi)連線的制作方法的流程剖面圖。請參照圖2A,首先,提供基底200,中心線L將基底200分為正面與背面,其中正面包括基底200的上表面202與側(cè)邊上半部204,而背面包括基底的下表面206與側(cè)邊下半部208,且上表面202具有晶邊區(qū)210與中心區(qū)212,晶邊區(qū)210環(huán)繞基底200外緣(如圖1B所示),其寬度例如為5mm,而中心區(qū)212已形成有半導(dǎo)體元件。半導(dǎo)體元件例如包括柵極214、柵介電層216、間隙壁217、源極/漏極區(qū)218,當(dāng)然,半導(dǎo)體元件還可以是其它任何元件。
      接著,請參照圖2B,于基底200的正面上形成一層介電層220。介電層220的材料例如為氧化硅,形成方法例如為高密度等離子體化學(xué)氣相沉積法,或是介電層220也可以是復(fù)合介電層。然后,于基底200上形成一層光致抗蝕劑層222。光致抗蝕劑層222的形成方法例如是使用旋轉(zhuǎn)涂布方式,因此光致抗蝕劑層222除了覆蓋基底200的上表面202之外,還會附著于側(cè)邊上半部204與側(cè)邊下半部208,甚至附著于部分下表面206上。
      接下來,請參照圖2C,對基底200進行洗邊步驟。與一般熟知的洗邊步驟不同,在本實施例中,僅對基底200的背面(即側(cè)邊下半部208與下表面206)以例如為邊緣珠滴清洗法進行洗邊,以去除基底200的背面上的光致抗蝕劑層222,而不對基底200的正面進行洗邊,以保留位于晶邊區(qū)210上的光致抗蝕劑層222。然后,將光致抗蝕劑層222圖案化。值得注意的是,在此步驟中,仍保留位于晶邊區(qū)210上的光致抗蝕劑層222。接著,進行蝕刻工藝,以在介電層220中形成開口223。由于在前一步驟中,并沒有對位于晶邊區(qū)的光致抗蝕劑層222進行洗邊,且在光致抗蝕劑層圖案化時,并不去除晶邊的光致抗蝕劑層,因此介電層220仍然覆蓋于晶邊區(qū)210上,避免基底200暴露出來。之后,于介電層220上先形成一層導(dǎo)體材料層(未繪示),此導(dǎo)體材料層的材料例如為金屬,然后再將導(dǎo)體材料層圖案化形成導(dǎo)體層224,以作為接窗插塞與導(dǎo)線之用。
      綜上所述,本發(fā)明因在對光致抗蝕劑層進行洗邊步驟時,僅利用邊緣珠滴清洗法對基底的背面進行洗邊,來去除基底背面的光致抗蝕劑層,而不對基底的正面進行洗邊,以保留位于晶邊區(qū)上的光致抗蝕劑層,并且在光致抗蝕劑層圖案化時,晶邊區(qū)的光致抗蝕劑層仍表留下來,因此,在后續(xù)的工藝中介電層仍然覆蓋于晶邊區(qū)上,避免基底暴露出來,使得基底在后續(xù)的工藝中不會暴露出來,故可防止后續(xù)工藝反應(yīng)產(chǎn)生的副產(chǎn)物,如有機雜質(zhì),沉積于基底上,進而避免后續(xù)于晶邊區(qū)產(chǎn)生的膜層產(chǎn)生剝離,以維持產(chǎn)品的成品率。
      雖然本發(fā)明以優(yōu)選實施例揭露如上,然而其并非用以限定本發(fā)明,本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi),可作些許的更動與潤飾,因此本發(fā)明的保護范圍應(yīng)當(dāng)以后附的權(quán)利要求所界定者為準。
      權(quán)利要求
      1.一種防止晶邊區(qū)膜層剝落的半導(dǎo)體制造方法,包括提供一基底,該基底具有一正面與一背面,其中該正面包括該基底的一上表面與該基底的一側(cè)邊上半部,而該背面包括該基底的一下表面與該基底的一側(cè)邊下半部,且該上表面具有一晶邊區(qū)與一中心區(qū),該晶邊區(qū)環(huán)繞該上表面外緣;于該基底的該正面上形成一介電層;形成一光致抗蝕劑層,該光致抗蝕劑層覆蓋該基底的該正面、該側(cè)邊下半部與部分該下表面;以及僅對該基底的該背面進行一洗邊步驟,以去除該基底的該背面上的該光致抗蝕劑層,保留位于該晶邊區(qū)的該光致抗蝕劑層。
      2.如權(quán)利要求1所述的防止晶邊區(qū)膜層剝落的半導(dǎo)體制造方法,其中該晶邊區(qū)的寬度為5mm。
      3.如權(quán)利要求1所述的防止晶邊區(qū)膜層剝落的半導(dǎo)體制造方法,其中該介電層的材料包括氧化硅。
      4.如權(quán)利要求1所述的防止晶邊區(qū)膜層剝落的半導(dǎo)體制造方法,其中該介電層的形成方法包括高密度等離子體化學(xué)氣相沉積法。
      5.如權(quán)利要求1所述的防止晶邊區(qū)膜層剝落的半導(dǎo)體制造方法,其中該洗邊步驟包括邊緣珠滴清洗法。
      6.如權(quán)利要求1所述的防止晶邊區(qū)膜層剝落的半導(dǎo)體制造方法,其中形成該光致抗蝕劑層的方法包括旋轉(zhuǎn)涂布。
      7.一種防止晶邊區(qū)膜層剝落的半導(dǎo)體制造方法,包括提供一基底,該基底具有一正面與一背面,其中該正面包括該基底的一上表面與該基底的一側(cè)邊上半部,而該背面包括該基底的一下表面與該基底的一側(cè)邊下半部,且該上表面具有一晶邊區(qū)與一中心區(qū),該晶邊區(qū)環(huán)繞該上表面外緣;于該基底的該正面上形成一介電層;以及在圖案化該介電層時,保留位于該晶邊區(qū)的該介電層。
      8.如權(quán)利要求7所述的防止晶邊區(qū)膜層剝落的半導(dǎo)體制造方法,其中保留位于該晶邊區(qū)的介電層的方法包括形成一光致抗蝕劑層,該光致抗蝕劑層覆蓋該基底的該正面、該側(cè)邊下半部與部分該下表面;僅對該基底的該背面進行一洗邊步驟,以去除該基底的該背面上的該光致抗蝕劑層;以及圖案化位于該中心區(qū)的該介電層。
      9.如權(quán)利要求8所述的防止晶邊區(qū)膜層剝落的半導(dǎo)體制造方法,其中該洗邊步驟包括邊緣珠滴清洗法。
      10.一種內(nèi)連線的制作方法,包括提供一基底,該基底具有一正面與一背面,其中該正面包括該基底的一上表面與該基底的一側(cè)邊上半部,而該背面包括該基底的一下表面與該基底的一側(cè)邊下半部,且該上表面具有一晶邊區(qū)與一中心區(qū),該晶邊區(qū)環(huán)繞該基底外緣,而該中心區(qū)已形成有一半導(dǎo)體元件;于該基底的該正面上形成一介電層;于該基底上形成一光致抗蝕劑層,該光致抗蝕劑層覆蓋該基底的該正面、該側(cè)邊下半部與部分該下表面;僅對該基底的該背面進行一洗邊步驟,以去除該基底的該背面上的該光致抗蝕劑層;將中心區(qū)的該光致抗蝕劑層圖案化,保留晶邊區(qū)的該光致抗蝕劑層;以該光致抗蝕劑層為掩模,圖案化該介電層;以及于該介電層上形成圖案化導(dǎo)體層。
      11.如權(quán)利要求10所述的內(nèi)連線的制作方法,其中該晶邊區(qū)的寬度為5mm。
      12.如權(quán)利要求10所述的內(nèi)連線的制作方法,其中該介電層的材料包括氧化硅。
      13.如權(quán)利要求12所述的內(nèi)連線的制作方法,其中該介電層的形成方法包括高密度等離子體化學(xué)氣相沉積法。
      14.如權(quán)利要求10所述的內(nèi)連線的制作方法,其中該洗邊步驟包括邊緣珠滴清洗法。
      15.如權(quán)利要求10所述的內(nèi)連線的制作方法,其中形成該光致抗蝕劑層的方法包括旋轉(zhuǎn)涂布。
      全文摘要
      一種防止晶邊區(qū)膜層剝落的半導(dǎo)體制造方法,首先,于基底的正面上形成一層介電層。然后,形成一層光致抗蝕劑層,此光致抗蝕劑層覆蓋基底的正面與部分背面。之后,僅對基底的背面進行洗邊步驟,以去除基底的背面上的光致抗蝕劑層,而保留位于晶邊區(qū)的光致抗蝕劑層。
      文檔編號H01L21/70GK1933103SQ20051010392
      公開日2007年3月21日 申請日期2005年9月15日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月15日
      發(fā)明者陳彥宏, 顏文彬, 曾素玲 申請人:聯(lián)華電子股份有限公司
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