技術(shù)編號：6856667
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝，具體來說，涉及深亞微米工藝中減少等離子體損傷的方法。背景技術(shù) 隨著半導(dǎo)體制造進入到深亞微米階段，芯片特征尺寸進一步縮小，集成電路的集成度不斷增加，對半導(dǎo)體制造工藝提出了更高的要求。為此應(yīng)盡量減少等離子體損傷，因為它會造成半導(dǎo)體器件電學(xué)性能的退化。現(xiàn)有刻蝕工藝步驟包括貫穿步、主刻步、過刻步，沒有對等離子體損傷進行針對性的防護。等離子體損傷的機理主要有以下幾點電荷的累計效應(yīng)，UV射線的電離效應(yīng)，設(shè)計版圖的天線效應(yīng)等影響。其中最主要的是...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。