技術(shù)編號(hào)：6881665
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)的改良機(jī)構(gòu)，特別是有關(guān)于一種 借助蝕刻制程室內(nèi)多個(gè)晶圓載盤的配置，以提升濺射清潔效率的半導(dǎo) 體機(jī)臺(tái)的改良機(jī)構(gòu)。背景技術(shù)一般而言，半導(dǎo)體制程如經(jīng)過蝕刻制程以產(chǎn)生一介層洞(via hole) 或一接觸洞(contacthole)后，在洞內(nèi)常遺留一些聚合物殘留物，此類殘 留物可能影響后續(xù)的沉積制程的品質(zhì)，必須通過清潔加以去除。常用 的清潔方法有電漿清洗(plasma clean)與氬氣濺射清潔(Argon sputter clean)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。