專利名稱：半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)的改良機(jī)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)的改良機(jī)構(gòu)，特別是有關(guān)于一種 借助蝕刻制程室內(nèi)多個(gè)晶圓載盤的配置，以提升濺射清潔效率的半導(dǎo) 體機(jī)臺(tái)的改良機(jī)構(gòu)。
背景技術(shù)：
一般而言，半導(dǎo)體制程如經(jīng)過蝕刻制程以產(chǎn)生一介層洞(via hole) 或一接觸洞(contacthole)后，在洞內(nèi)常遺留一些聚合物殘留物，此類殘 留物可能影響后續(xù)的沉積制程的品質(zhì)，必須通過清潔加以去除。常用 的清潔方法有電漿清洗(plasma clean)與氬氣濺射清潔(Argon sputter clean)兩種，電槳清洗的原理為利用噴出的電漿，與洞內(nèi)的殘留物接觸 后產(chǎn)生化學(xué)或物理變化，以清潔洞內(nèi)表面，電漿清洗的特色在于速度 快但清潔度較差。氬氣濺射清潔的原理為利用游離氬氣粒子，對(duì)晶圓 進(jìn)行濺射轟擊，以移除殘留物，其特色在于清潔度好但速度較慢。業(yè) 界基于生產(chǎn)效率的需求，多采用電漿清洗的方式。然而，因電漿清洗 的清潔度較差，后續(xù)的沉積制程的良率會(huì)受到電漿清洗的清潔度較差 的影響而嚴(yán)重降低，故如何兼顧清潔制程的品質(zhì)與速度成為半導(dǎo)體制 程的重要關(guān)鍵之一。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足與缺陷， 提出一種半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)的改良機(jī)構(gòu)，特別是一種借助蝕刻制程室內(nèi)多個(gè) 晶圓載盤的配置，以提升濺射清潔效率的半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)的改良機(jī)構(gòu)。
為達(dá)上述目的，本實(shí)用新型提供一種半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)的改良機(jī)構(gòu)，其 包括 一蝕刻制程室，具有多個(gè)晶圓載盤與一濺射清潔裝置；多個(gè)沉積制程室；以及一移轉(zhuǎn)室，設(shè)置于該蝕刻制程室與所述的沉積制程室 之間，并用于移轉(zhuǎn)該蝕刻制程室與所述的沉積制程室內(nèi)的多個(gè)晶圓。
本實(shí)用新型具有以下有益技術(shù)效果本實(shí)用新型的半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)通 過蝕刻制程室內(nèi)多個(gè)晶圓載盤的配置，達(dá)到提升濺射清潔效率的功能， 以提高半導(dǎo)體制程效率。


圖1為根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，圖。
圖中符號(hào)說明
10 半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)的改良機(jī)構(gòu)
11 蝕刻制程室 111多個(gè)晶圓載盤
12 多個(gè)沉積制程室
13 移轉(zhuǎn)室
一種半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)的改良機(jī)構(gòu)示意
具體實(shí)施方式
以下以具體的實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型揭示的各形態(tài)內(nèi)容加以詳細(xì) 說明。
參照?qǐng)Dl，圖1為根據(jù)本實(shí)用新型所提供的一種半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)的改良 機(jī)構(gòu)10的示意圖，其中包括一蝕刻制程室11、多個(gè)沉積制程室12、 以及一移轉(zhuǎn)室13。蝕刻制程室11內(nèi)設(shè)置有多個(gè)晶圓載盤111與一濺射 清潔裝置(未顯示)。移轉(zhuǎn)室13設(shè)置于蝕刻制程室11與多個(gè)沉積制程室 12之間，亦即，移轉(zhuǎn)室13連接蝕刻制程室11與多個(gè)沉積制程室12， 用以移轉(zhuǎn)蝕刻制程室11與多個(gè)沉積制程室12內(nèi)的多個(gè)晶圓(未顯示)。 舉例而言，移轉(zhuǎn)室13根據(jù)一移轉(zhuǎn)路線以移轉(zhuǎn)蝕刻制程室11與多個(gè)沉 積制程室12內(nèi)的多個(gè)晶圓，其中，移轉(zhuǎn)路線可為一圓周，而移轉(zhuǎn)室13設(shè)于此圓周的中心位置，蝕刻制程室11與多個(gè)沉積制程室12則設(shè)于 此圓周的外緣位置。
其中，在蝕刻制程后，多個(gè)晶圓上經(jīng)常會(huì)產(chǎn)生接觸洞(contacthole， 未顯示)或介層洞(via hole,未顯示)等結(jié)構(gòu)，以便于后續(xù)半導(dǎo)體制程中 線路的連接。若舍棄電漿清洗方式而釆用濺射清潔方式，其特色在于 清潔度好但速度較慢，濺射清潔裝置具有提供氬氣濺擊粒子功能的構(gòu) 造，對(duì)于接觸洞與介層洞此氬氣濺擊粒子具有高品質(zhì)的清潔效果。然 而，氬氣濺射清潔的速度較慢，故需改善其清潔速度慢的缺點(diǎn)，本發(fā) 明提供的方式在蝕刻制程室11中設(shè)置多個(gè)晶圓載盤111，以同時(shí)對(duì)多 個(gè)晶圓進(jìn)行氬氣濺射清潔，以提高制程效率。其中，晶圓載盤111的 數(shù)目可視需要而定，例如根據(jù)蝕刻制程室11的大小而定，其數(shù)目較佳 為至少兩個(gè)或以上，以蝕刻制程室ll的大小為限，且只要能達(dá)到提高 制程清潔效率的目的即可。進(jìn)一步，多個(gè)沉積制程室12的數(shù)量須對(duì)應(yīng) 于多個(gè)晶圓載盤111的數(shù)量(例如圖1中顯示三個(gè)晶圓載盤111，而沉 積制程室12的數(shù)量亦為三個(gè))，才能達(dá)到提高整體制程效率的功效。
其中，多個(gè)沉積制程室可為物理氣相沉積室或化學(xué)氣相沉積室； 此外亦可能為進(jìn)行金凸塊或鉛錫凸塊封裝的制程室，而所述濺射清潔 裝置可在晶圓接受金凸塊或鉛錫凸塊封裝前，用于清潔晶圓表面，使 凸塊附著更強(qiáng)。
雖然本實(shí)用新型已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本 實(shí)用新型，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍 內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，例如變更晶圓載盤或變更沉積制程室 的數(shù)量。因此本實(shí)用新型的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求書的范圍所界定者 為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1.一種半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)的改良機(jī)構(gòu)，其特征在于，包括一蝕刻制程室，具有多個(gè)晶圓載盤與一濺射清潔裝置；多個(gè)沉積制程室；以及一移轉(zhuǎn)室，設(shè)置于該蝕刻制程室與所述的沉積制程室之間，并用于移轉(zhuǎn)該蝕刻制程室與所述的沉積制程室內(nèi)的多個(gè)晶圓。
2. 如權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)改良機(jī)構(gòu)，其特征在于，該濺 射清潔裝置具有提供氬氣濺擊粒子的構(gòu)造。
3. 如權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)改良機(jī)構(gòu)，其特征在于，所述 的沉積制程室為物理氣相沉積室或化學(xué)氣相沉積室。
4. 如權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)改良機(jī)構(gòu)，其特征在于，該些 晶圓載盤的數(shù)目為至少兩個(gè)或兩個(gè)以上，以該蝕刻制程室的大小為限。
5. 如權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)改良機(jī)構(gòu)，其特征在于，該移 轉(zhuǎn)室根據(jù)一移轉(zhuǎn)路線，以移轉(zhuǎn)該蝕刻制程室與所述的沉積制程室內(nèi)的 多個(gè)晶圓。
6. 如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)改良機(jī)構(gòu)，其特征在于，該移 轉(zhuǎn)室設(shè)于該移轉(zhuǎn)路線的中心位置，而該蝕刻制程室與所述的沉積制程 室則設(shè)于該移轉(zhuǎn)路線的外圍位置。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種適用于晶圓制程，具有快速清潔以及提高效率的半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)的改良機(jī)構(gòu)。此半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)包括一蝕刻制程室、多個(gè)沉積制程室、以及一移轉(zhuǎn)室。蝕刻制程室具有多個(gè)晶圓載盤與一濺射清潔裝置。移轉(zhuǎn)室設(shè)置于蝕刻制程室與多個(gè)沉積制程室之間，且用于移轉(zhuǎn)蝕刻制程室與多個(gè)沉積制程室內(nèi)的多個(gè)晶圓。此半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)借助蝕刻制程室內(nèi)多個(gè)晶圓載盤的配置，達(dá)到提升濺射清潔效率的功能，以提高半導(dǎo)體制程效率。
文檔編號(hào)H01L21/02GK201153117SQ20072012550
公開日2008年11月19日 申請(qǐng)日期2007年8月17日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月17日
發(fā)明者劉相賢, 江宗憲, 簡(jiǎn)文隆, 蔡明侖, 鄭啟民 申請(qǐng)人:力鼎精密股份有限公司