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本發(fā)明系大致有關(guān)CMOS集成電路及其制造方法，且尤系有關(guān)低 接觸電阻CMOS電路及其制造方法。背景技術(shù)大多數(shù)目前的集成電路(Integrated Circuit;簡稱IC)系使用也被為 金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor;簡稱MOSFET或MOS晶體管)之復(fù)數(shù)個互連的 (interconnected)場效晶體管(Field Effect Transistor;簡稱F...
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