技術(shù)編號(hào)：6889530
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。銻基cmos器件背景技術(shù)當(dāng)前的大多數(shù)集成電路均基于元素周期表中的IV族元素硅。眾所周知，與硅相比，諸如砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb)、磷化銦(InP)以及砷化鎵銦(InGaAs)的III-V族元素的化合物具有優(yōu)越得多的半導(dǎo)體屬性，包括更高的電子遷移率和飽和速度。因此這些材料可以提供優(yōu)越的器件性能。附圖說(shuō)明圖i是示出了 m-v族材料cmos器件的截面?zhèn)纫晥D。圖2是示出了襯底的截面?zhèn)纫晥D。圖3是示出了在襯底上的成核層的截面?zhèn)纫晥D。圖4是示出了成核層上的...
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