技術(shù)編號(hào)：6926446
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及具有多個(gè)細(xì)線(xiàn)狀(wire-form)半導(dǎo)體層的MOS型 半導(dǎo)體元件、以及使用該MOS半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體裝置。背景技術(shù)以往的MOS型半導(dǎo)體元件在源/漏區(qū)域之間設(shè)置的平面狀的溝道 區(qū)域上隔著柵絕緣膜形成有柵電極。利用隔著柵絕緣膜的柵電極與溝 道區(qū)域的電容耦合，對(duì)溝道區(qū)域的電位進(jìn)行控制，從而控制流過(guò)溝道 區(qū)域的電流。進(jìn)而，為了提高元件的性能，進(jìn)行元件的微細(xì)化。但是，如果進(jìn)行元件的微細(xì)化，則溝道區(qū)域的電位不僅對(duì)柵電極 造成影響，而且還對(duì)源/漏區(qū)域的電位造...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。