技術(shù)編號：6929571
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種溝槽式功率MOSFET的結(jié)構(gòu)及其制造方法。 背景技術(shù)目前，功率MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,金屬 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)已廣泛用于各類電子，通訊產(chǎn)品中，特別是一些開關(guān)電源電 路，其特點(diǎn)是低功耗、速度快等。而溝槽式(Trench)功率MOSFET由于其導(dǎo)電溝道在縱向方 向，所以與普通橫向MOSFET相比，在相同的面積下，具有更低的導(dǎo)通電阻。在開關(guān)電源的應(yīng)用...
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