技術(shù)編號(hào)：6931226
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)，尤其涉及一種源漏能帶工程無電容式DRAM， 屬于超大規(guī)模集成電路中的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。背景技術(shù)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要組成部分，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)是最重要的 存儲(chǔ)器之一，被認(rèn)為是半導(dǎo)體技術(shù)節(jié)點(diǎn)的推動(dòng)和領(lǐng)航者。傳統(tǒng)的DRAM基于一個(gè)晶體管 和一個(gè)電容的結(jié)構(gòu)(1T/1C)，晶體管控制信息的讀取和寫操作，電容儲(chǔ)存電荷信息。不 斷降低單元成本，提高動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的密度和容量，是DRAM取得商業(yè)成功的關(guān)鍵。 但是在DR...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。