技術(shù)編號(hào)：6931255
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種高純度、高密度、高產(chǎn)率Si3N4/Si02同軸納米電纜陣列的制備方法，屬于材料制備。 背景技術(shù)自1997年法國科學(xué)家Colliex等在電弧放電獲得的產(chǎn)物中發(fā)現(xiàn)C-BN-C同軸體系并命名 其為同軸納米電纜以來，同軸納米電纜引起了各國科學(xué)家的極大興趣，很快成為納米材料研 究的一個(gè)熱點(diǎn)。同軸納米電纜的內(nèi)核通常為半導(dǎo)體或金屬納米線，鞘層為異質(zhì)的導(dǎo)體或絕緣 體殼，內(nèi)核和鞘層是共軸的。同軸納米電纜以其特殊的核/殼結(jié)構(gòu)和獨(dú)特的光、電、磁學(xué)性能 在諸多領(lǐng)域有...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。