技術(shù)編號：6936133
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及包括具有LOCOS (硅的局部氧化)偏置以用于高電 壓工作的場效應(yīng)晶體管的半導(dǎo)體器件，并涉及該半導(dǎo)體器件的制造方 法。背景技術(shù)來自用于集成電路(IC)市場的新近需求，如控制供電電壓以獲得恒定電壓的電壓調(diào)節(jié)器和開關(guān)調(diào)節(jié)器，已經(jīng)變得多樣化，正尋求例如即使在50V或更高的電壓范圍下也有能力確保安全操作的IC。 當(dāng)在用于高電壓操作的IC中使用場效應(yīng)晶體管(在下文中稱作MOS (金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管)時，已知有具有LOCOS偏置漏極結(jié) 構(gòu)的MOS晶體管...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。