專(zhuān)利名稱：半導(dǎo)體器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及包括具有LOCOS (硅的局部氧化)偏置以用于高電 壓工作的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的半導(dǎo)體器件，并涉及該半導(dǎo)體器件的制造方 法。
背景技術(shù)：
來(lái)自用于集成電路(IC)市場(chǎng)的新近需求，如控制供電電壓以獲得恒定電壓的電壓調(diào)節(jié)器和開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器，已經(jīng)變得多樣化，正尋求例如即使在50V或更高的電壓范圍下也有能力確保安全操作的IC。 當(dāng)在用于高電壓操作的IC中使用場(chǎng)效應(yīng)晶體管(在下文中稱作MOS (金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管)時(shí)，已知有具有LOCOS偏置漏極結(jié) 構(gòu)的MOS晶體管作為用于高電壓才喿作的傳統(tǒng)平面式MOS晶體管的示 例。圖3A至3C示出用于LOCOS偏置MOS晶體管的制造方法。如 在圖3A中所示，犧牲氧化物膜22和氮化物膜21沉積在P-型硅襯底 上，采用光阻劑作為掩模來(lái)選擇性地移除該氮化物膜21,其被圖案化 以具有用于其目標(biāo)區(qū)域的開(kāi)口，并且N-型偏置擴(kuò)散層31通過(guò)離子注 入法形成。下一步如在圖3B中所示，使用氮化物膜21作為圖案，通 過(guò)例如濕式氧化法選擇性地形成LOCOS氧化物膜23。接著，移除該 氮化物膜21和該犧牲氧化物膜22以形成柵極氧化物膜24,并且，例 如，多晶硅膜沉積在該柵極氧化物膜24上。采用光阻劑作為掩模來(lái) 移除該多晶硅膜，其被圖案化以具有用于其目標(biāo)區(qū)域的開(kāi)口，由此形 成柵電極25。 N-型漏極擴(kuò)散層34和N-型源極擴(kuò)散層35通過(guò)采用光 阻劑作為掩模的離子注入法形成，其被圖案化以具有用于其目標(biāo)區(qū)域 的開(kāi)口 ，由此獲得圖3C的結(jié)構(gòu)。根據(jù)圖3C中所示的傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)，通過(guò)適宜地設(shè)定該LOCOS氧化物 膜23的厚度和該偏置擴(kuò)散層31的濃度，可以增強(qiáng)該柵電極和該漏極 擴(kuò)散層之間的電場(chǎng)弛豫以獲得高電壓操作。然而，在該偏置擴(kuò)散層31 和該漏極擴(kuò)散層34之間的結(jié)合部中，因?yàn)橹圃爝^(guò)程期間引起的該 LOCOS氧化物膜23和該氮化物膜21的厚度波動(dòng)，該偏置擴(kuò)散層31 未能充分地覆蓋該漏極擴(kuò)散層34的下邊緣34a，導(dǎo)致不足以弛豫該漏 極擴(kuò)散層34的下邊緣34a上的電場(chǎng)集中的結(jié)構(gòu)。例如，當(dāng)該偏置擴(kuò)散 層31的濃度設(shè)定的足夠高并且該偏置擴(kuò)散層31擴(kuò)散達(dá)至該漏極擴(kuò)散 層34的下邊緣34a，耗盡層不能自該偏置擴(kuò)散層31延伸，以致于該 柵電極和該漏極擴(kuò)散層之間的電場(chǎng)增強(qiáng)，變成在相對(duì)低電壓引起雪崩 擊穿的因素。在這樣的在50V操作的高電壓操作元件的器件設(shè)計(jì)中， 采用以上l是及的結(jié)構(gòu)變得困難。
針對(duì)以上描述該問(wèn)題的對(duì)策公布于JP 06-29313 A中，建議一種 方法，在該方法中在LOCOS偏置MOS晶體管的偏置部分中形成溝槽， 偏置擴(kuò)散層形成在其中，并且LOCOS氧化物膜填充該溝槽，借此該 偏置擴(kuò)散覆蓋高摻雜漏極層的電場(chǎng)集中區(qū)域。
根據(jù)公開(kāi)于JP 06-29313 A中的該MOS晶體管的結(jié)構(gòu)，該偏置擴(kuò) 散層的有效寬度增加，借此電阻部件增加以降低該MOS晶體管的可 操縱性。進(jìn)一步地，該LOCOS氧化物膜所埋入的凹口部具有朝向底 部張開(kāi)的形狀。因此，該偏置擴(kuò)散層還具有朝向底部張開(kāi)的結(jié)構(gòu)，并 且該擴(kuò)散層的結(jié)構(gòu)形成為還沿該MOS晶體管的溝道方向延伸。因此， 為了阻止由于穿通現(xiàn)象的泄漏電流，設(shè)定較長(zhǎng)的該MOS晶體管的柵 極長(zhǎng)度是必要的，該穿通現(xiàn)象是當(dāng)對(duì)漏電極提供高電壓時(shí)使漏極偏置 擴(kuò)散層和襯底之間產(chǎn)生的耗盡層與源極擴(kuò)散層側(cè)的耗盡層相接觸而 發(fā)生。這個(gè)情形在其中該漏電極和源電極兩個(gè)都需要以具有高耐受電 壓的實(shí)例中是明顯特別的，其由于尺寸的增加顯著地影響它的制造成 本。
綜合以上，根據(jù)該傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)，該柵電極和漏電極之間的耐受電壓由于在形成用于偏置區(qū)域的凹口部期間和形成填充該凹口部的
LOCOS氧化物膜期間的制造波動(dòng)而變化。例如，如果由于該制造波 動(dòng)而形成更深的凹口部并且該LOCOS氧化物膜生長(zhǎng)得更薄，該偏置 擴(kuò)散層的溝道端部具有帶銳角轉(zhuǎn)角的形狀，以致于因?yàn)榘l(fā)生電場(chǎng)集中 而使耐受電壓極端地變差。因此，考慮到制造波動(dòng)，關(guān)于以上提及結(jié) 構(gòu)確保高電壓操作是極其困難的。

發(fā)明內(nèi)容
為解決以上提及的問(wèn)題，本發(fā)明采用如下手段。
(1) 一種用于包括LOCOS偏置場(chǎng)效應(yīng)晶體管的半導(dǎo)體器件的 制造方法，其包括
在第 一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體襯底上形成犧牲氧化物膜；
在該犧牲氧化物膜上形成氮化物膜，并通過(guò)采用光阻劑的圖案僅 對(duì)該氮化膜的目標(biāo)區(qū)域進(jìn)行蝕刻；
通過(guò)離子注入法僅在將變成第一偏置擴(kuò)散層的區(qū)域中形成第二 導(dǎo)電類(lèi)型偏置擴(kuò)散層；
在其中該氮化物膜被蝕刻的區(qū)域中形成LOCOS氧化物膜；
移除該氮化物膜和該犧牲氧化物膜；
在該第 一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體襯底的表面上形成柵極氧化物膜，在該 柵極氧化物膜上形成多晶硅膜，并且通過(guò)采用光阻劑的圖案，僅對(duì)該 多晶硅膜的目標(biāo)區(qū)域進(jìn)行蝕刻；
通過(guò)采用光阻劑的圖案，蝕刻該棚-極氧化物膜和該LOCOS氧化 物膜的一區(qū)域，以便使該LOCOS氧化物膜厚度朝向該漏極擴(kuò)散層減 少，在該區(qū)域下方形成充當(dāng)漏極擴(kuò)散層的高摻雜擴(kuò)散層，該區(qū)域?qū)?yīng) 于該LOCOS氧化物膜的形成部；和
通過(guò)離子注入法形成笫二導(dǎo)電類(lèi)型高摻雜擴(kuò)散層。
(2) 用于半導(dǎo)體器件的該制造方法，其中蝕刻該柵極氧化物膜 和該LOCOS氧化物膜包括執(zhí)行各向同性蝕刻。(3) —種半導(dǎo)體器件，其包括 第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體襯底；
柵極氧化物膜，其形成在該第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體襯底表面的一部 分上，并且包括一端和另一端；
第二導(dǎo)電類(lèi)型源極擴(kuò)散層，其形成在該柵極氧化物膜的該一端的 一側(cè)的該第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體襯底的第一表面附近；
LOCOS氧化物膜包括一端和另一端，使該一端在該柵極氧化物 膜的該另 一端處與該柵極氧化物膜接觸；
柵電極，其形成在該柵極氧化物膜上以便從該第二導(dǎo)電類(lèi)型源極 擴(kuò)散層的端部伸長(zhǎng)到該LOCOS氧化物膜；
第二導(dǎo)電類(lèi)型偏置擴(kuò)散層，其形成在位于該LOCOS氧化物膜下 方的該第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體襯底的第二表面附近；和
第二導(dǎo)電類(lèi)型漏極擴(kuò)散層，其形成在該第 一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體襯底 的第三表面附近以便與該LOCOS氧化物膜的該另一端相鄰近，其位 于與該柵極氧化物膜相反的一側(cè)，其中
該LOCOS氧化物膜具有從除該柵電極以外的位置到該LOCOS 氧化物膜的該另一端連續(xù)減少的厚度，至更薄于該LOCOS氧化物膜 的原始厚度；
該LOCOS氧化物膜包括位于比該第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體襯底的第 三表面(相當(dāng)于該第二導(dǎo)電類(lèi)型漏極擴(kuò)散層表面)低的該LOCOS氧 化物膜的該另一端的表面；和
該第二導(dǎo)電類(lèi)型漏極擴(kuò)散層包括端部，它們分別擴(kuò)展到位于該 LOCOS氧化物膜厚度減少的區(qū)域下方的該第 一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體襯底 的第四表面附近，并且與該第二導(dǎo)電類(lèi)型偏置擴(kuò)散層重疊。
在該LOCOS偏置MOS晶體管中，對(duì)形成在該漏極擴(kuò)散層和/或 該源極擴(kuò)散層的周邊的該LOCOS氧化物膜(其中需要高電壓操作) 進(jìn)行蝕刻，以形成該漏極擴(kuò)散層或該源極擴(kuò)散層，以便覆蓋其中該 LOCOS氧化物膜被移除的區(qū)域。因此，由該偏置擴(kuò)散層覆蓋該漏極
7擴(kuò)散層或該源極擴(kuò)散層的下部，由此發(fā)生在該漏極擴(kuò)散層下部的該區(qū)
域中的電場(chǎng)集中可以被弛豫，允許供應(yīng)包括有能力確保即使在50V或 更高的電壓下的安全操作的MOS晶體管的半導(dǎo)體器件。


在附圖中
的工藝流程的示意剖面圖2示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的示意剖面圖； 葉『…,絲.
藝流程的示意剖面圖
具體實(shí)施例方式
以下引用附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選方式。
圖1A至ID示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件及其制造方 法。在下面的描述中，給出N-溝道MOS晶體管的實(shí)例用于舉例。
圖1A示出一種狀態(tài)，其中犧牲氧化物膜22形成在P-型半導(dǎo)體 襯底11上；氮化物膜21形成在該犧牲氧化物膜22上；對(duì)該氮化物 膜21進(jìn)行圖案化以便具有用于目標(biāo)區(qū)域的開(kāi)口；并且接著偏置擴(kuò)散 層31通過(guò)離子注入法形成在該開(kāi)口的該P(yáng)-型半導(dǎo)體村底11的各表面 區(qū)域中。在該氮化物膜21的圖案化中，光阻劑均勻地施加在該氮化 物膜21上，并且利用光刻法在光阻劑中制作該用于目標(biāo)區(qū)域的開(kāi)口 。 然后，采用圖案化的光阻劑作為掩模，使用氟氣或類(lèi)似物進(jìn)行干法蝕 刻。在蝕刻氮化物膜21期間使用的相同掩模用作用于通過(guò)離子注入 法形成該偏置擴(kuò)散層31的掩模。將該偏置擴(kuò)散層31的最終雜質(zhì)濃度 設(shè)定成以落入從約lx1016 atom/cm3至lxl018atom/cm3的范圍中。使 用磷作為要引入的雜質(zhì)。雖然注入能量取決于要引入的雜質(zhì)量，但是 設(shè)定注入能量以使從該半導(dǎo)體襯底的表面、沿該偏置擴(kuò)散層31的深度方向的最終擴(kuò)散長(zhǎng)度變?yōu)?.3nm或更長(zhǎng)。
接著，如圖IB中所示，使用氮化物膜作為掩模進(jìn)行熱氧化，以由此形成具有厚度大約600nm-800nm的LOCOS氧化物膜23。然后，移除該氮化物膜21和該犧牲氧化物膜22，以及通過(guò)熱氧化形成柵極氧化物膜24。通過(guò)如化學(xué)氣相沉積法在該^#極氧化物膜24的全部表面上形成具有膜層厚度為200nm至400nm的多晶硅膜。之后，通過(guò)固相擴(kuò)散法將磷或類(lèi)似物擴(kuò)散到該多晶硅中，以使其中的雜質(zhì)濃度變成大約lxl02Qatom/cm3，由此賦予該多晶硅膜導(dǎo)電性。在這個(gè)實(shí)例中，離子注入法作為該固相擴(kuò)散法的替代可以用于注入雜質(zhì)到該多晶硅中。此后，對(duì)具有導(dǎo)電性的該多晶硅膜進(jìn)行圖案化，以形成從該LOCOS氧化物膜23的一部分延伸至源極區(qū)域側(cè)的該柵極氧化物膜24上的柵電極25,由此獲得在圖1C中所示的結(jié)構(gòu)。
然后，對(duì)于一區(qū)域的周邊形成光阻劑以具有開(kāi)口，該區(qū)域接著變成漏極擴(kuò)散層。接著，位于該區(qū)域兩側(cè)的該LOCOS氧化物力莫23的一部分和夾在該LOCOS氧化物膜23之間的該柵極氧化物膜24通過(guò)濕法蝕刻被各向同性蝕刻。在這個(gè)實(shí)例中，在隨后變成源極擴(kuò)散層的區(qū)域上形成的該柵極氧化物膜24可以同時(shí)被蝕刻。
此后，采用具有用于目標(biāo)區(qū)域(諸如隨后變成該漏極擴(kuò)散層的區(qū)域和用于源極擴(kuò)散層的區(qū)域，從這些區(qū)域移除LOCOS氧化物膜)的開(kāi)口的圖案化光阻劑作為掩模，通過(guò)離子注入法注入雜質(zhì)到開(kāi)口部中。進(jìn)行熱處理以形成該漏極擴(kuò)散層34和該源極擴(kuò)散層35,由此獲得在圖1D中所示的結(jié)構(gòu)。在這個(gè)實(shí)例中，當(dāng)進(jìn)行該離子注入法以形成該漏極擴(kuò)散層34和該源極擴(kuò)散層35時(shí)，磷或砷用作將被引入的雜質(zhì)，并且該漏極擴(kuò)散層34和該源極擴(kuò)散層35的每個(gè)最終表面雜質(zhì)濃度設(shè)定到lxlO"atom/cmS或更高。設(shè)定該離子注入能量以使從該半導(dǎo)體襯底表面在該漏極擴(kuò)散層34和該源極擴(kuò)散層35的深度方向上的每個(gè)擴(kuò)散長(zhǎng)度大約是0.2pm。正如以上所描述的，在該LOCOS膜23的蝕刻中對(duì)該LOCOS膜23進(jìn)行各向同性蝕刻，并且相應(yīng)地該LOCOS
9膜23在該漏極擴(kuò)散層34側(cè)的端部形成如圖ID中所示的圓形形狀。因此，在該偏置擴(kuò)散層31上形成的該LOCOS氧化物膜23具有其厚度朝向該漏極擴(kuò)散層34的端部減少的形狀。因?yàn)橥ㄟ^(guò)離子注入法形成該漏極擴(kuò)散層34以便覆蓋其中該LOCOS氧化物膜23被蝕刻的區(qū)域，該漏極擴(kuò)散層34的每一端形成以延伸到該偏置擴(kuò)散層31中。進(jìn)一步地，該漏極擴(kuò)散層34具有與蝕刻后的該LOCOS氧化物膜23的厚度相對(duì)應(yīng)的濃度分布。換句話說(shuō)，該漏極擴(kuò)散層34的端部的雜質(zhì)濃度低于該漏極擴(kuò)散層34的中心部的雜質(zhì)濃度。因此，在該漏才及端部形成用于電場(chǎng)弛豫的擴(kuò)散層區(qū)域。而且，該漏極擴(kuò)散層34的深度根據(jù)該漏極擴(kuò)散層34的雜質(zhì)濃度分布而變化。因此，該漏極擴(kuò)散層34的下邊緣34b具有平滑的形狀，由此電場(chǎng)集中發(fā)生的可能性較低。因此，它變?yōu)榭梢源_保高電壓操作。
件的示意剖面圖。該半導(dǎo)體器件包括形成在P-型半導(dǎo)體襯底11的偏置漏極MOS晶體管，其中該L0C0S氧化物膜23形成在該襯底的表面上，并且該柵極氧化物膜24形成在該LOCOS氧化物膜23之間的有源區(qū)域上方。由高摻雜N-型雜質(zhì)形成的該源極擴(kuò)散層35形成在除該L0C0S氧化物膜23以外的位置，并且該斥冊(cè)電才及25形成在該柵極氧化物膜24上。形成該柵電極25以從該源極擴(kuò)散層35的端部伸長(zhǎng)到該LOCOS氧化物膜23的一部分。在該L0C0S氧化物膜23的下方形成該N-型偏置擴(kuò)散層31。該偏置擴(kuò)散層31的雜質(zhì)濃度低于該源極擴(kuò)散層35和該漏極擴(kuò)散層34的雜質(zhì)濃度。該漏極擴(kuò)散層34形成在該偏置擴(kuò)散層31之間。鄰近該漏極擴(kuò)散層34的該L0C0S氧化物膜23的部分形成輪廓為作為該濕法蝕刻結(jié)果的特有形狀的圓形形狀。由高摻雜N-型雜質(zhì)形成的漏極擴(kuò)散層34的上部的高度高于該LOCOS氧化物膜23的端部。使該漏極擴(kuò)散層34的每個(gè)端部與輪廓化的L0C0S氧化物膜23端部和該偏置擴(kuò)散層31端部4婁觸。該漏極擴(kuò)散層34的端部的雜質(zhì)濃度低于該漏極擴(kuò)散層34的中心部的雜質(zhì)濃度。通過(guò)以上提到的結(jié)構(gòu)，發(fā)生在該漏極擴(kuò)散層34的下部區(qū)域中的該電 場(chǎng)集中可以弛豫，由此它變成可以提供包括即使在50V或更高電壓下 也有能力確保安全操作的MOS晶體管的半導(dǎo)體器件。
在以上提到的描述中，對(duì)于該N-溝道MOS晶體管的實(shí)例已經(jīng)詳 細(xì)地描述本發(fā)明。然而，本發(fā)明還可適用于P-溝道MOS晶體管的實(shí) 例是不需要說(shuō)明。如該MOS晶體管的擴(kuò):作方法，當(dāng)該MOS晶體管在 該源電極和該漏電極之間切換的條件下4吏用時(shí)，在源電才及和該漏電極 兩個(gè)中都確保高耐受電壓是必要的。然而，即使在如以上描述的實(shí)例 中，通過(guò)根據(jù)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)可以確保高耐受電壓。進(jìn)一步地，在以上 提到的描述中，通過(guò)舉例的方式描述該實(shí)例，在其中該MOS晶體管 形成在該半導(dǎo)體襯底上。然而，本發(fā)明還可適用于形成在P-型深擴(kuò)散 層，即，所謂的阱擴(kuò)散層上的MOS晶體管的實(shí)例。另外，因?yàn)楦鶕?jù) 本發(fā)明的該MOS晶體管與傳統(tǒng)LOCOS偏置MOS晶體管在溝道端部 的漏極結(jié)構(gòu)上沒(méi)有差異，所以與傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的實(shí)例相比，該MOS晶體 管的特性沒(méi)有退化。
權(quán)利要求
1.一種用于包括具有LOCOS偏置的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的半導(dǎo)體器件的制造方法，所述制造方法包括在具有第一導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體襯底上形成犧牲氧化物膜；在所述犧牲氧化物膜上形成氮化物膜；通過(guò)采用光阻劑的圖案僅對(duì)所述氮化物膜的目標(biāo)區(qū)域進(jìn)行蝕刻；通過(guò)離子注入法形成具有第二導(dǎo)電類(lèi)型的偏置擴(kuò)散層；在其中所述氮化物膜被蝕刻的區(qū)域中形成LOCOS氧化物膜；移除所述氮化物膜和所述犧牲氧化物膜；在所述半導(dǎo)體襯底的表面上形成柵極氧化物膜，在所述柵極氧化物膜上形成多晶硅膜，并且通過(guò)采用光阻劑的圖案僅對(duì)所述多晶硅膜的目標(biāo)區(qū)域進(jìn)行蝕刻；蝕刻所述柵極氧化物膜和所述LOCOS氧化物膜的一區(qū)域，以便使所述LOCOS氧化物膜的膜厚朝向所述漏極擴(kuò)散層減少，在所述區(qū)域下方通過(guò)采用光阻劑的圖案形成充當(dāng)漏極擴(kuò)散層的高摻雜擴(kuò)散層，所述區(qū)域?qū)?yīng)于用于所述LOCOS氧化物膜形成的部分；和通過(guò)離子注入法形成具有第二導(dǎo)電類(lèi)型的高摻雜擴(kuò)散層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，蝕刻所述柵 極氧化物膜和所述LOCOS氧化物膜包括進(jìn)行各向同性蝕刻。
3. —種半導(dǎo)體器件，其包括 具有第 一導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體襯底；柵極氧化物膜，其設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底表面的一部分上、并且 具有一端和另一端；源極擴(kuò)散層，其具有第二導(dǎo)電類(lèi)型且設(shè)置在所述柵極氧化物膜的 所述一端的 一側(cè)的所述半導(dǎo)體襯底的第 一表面附近；具有一端和另一端的LOCOS氧化物膜，該一端在所述柵極氧化 物膜的所述另 一端處與所述柵極氧化物膜接觸；柵電極，其設(shè)置在所述柵極氧化物膜上，從所述源極擴(kuò)散層的端部覆蓋到所述LOCOS氧化物膜；偏置擴(kuò)散層，其具有第二導(dǎo)電類(lèi)型且設(shè)置在位于所述LOCOS氧 化物膜下方的所述半導(dǎo)體襯底的第二表面附近；和漏極擴(kuò)散層，其具有第二導(dǎo)電類(lèi)型且設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底的第 三表面附近以便與位于與所述柵極氧化物膜相反的一側(cè)的所述 LOCOS氧化物膜的所述另一端相鄰近，其中所述LOCOS氧化物膜具有從除所述柵電極以外的位置到所述 LOCOS氧化物膜的所述另一端連續(xù)減少的厚度，以更薄于所述 LOCOS氧化物膜的原始厚度；所述LOCOS氧化物膜包括所述LOCOS氧化物膜的所述另一端 的表面，其位于比所述第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體村底的所述第三表面低， 所述第三表面相當(dāng)于所述第二導(dǎo)電類(lèi)型漏極擴(kuò)散層表面；和所述第二導(dǎo)電類(lèi)型漏極擴(kuò)散層包括端部，它們分別擴(kuò)展到位于其 中所述LOCOS氧化物膜厚度減少的區(qū)域下方的所述第一導(dǎo)電類(lèi)型半 導(dǎo)體村底的第四表面附近，并且與所述第二導(dǎo)電類(lèi)型偏置擴(kuò)散層重 疊。
全文摘要
本發(fā)明提供了半導(dǎo)體器件及其制造方法。提供一種用于即使在50V或更高的電壓下有能力安全操作的偏置MOS晶體管的制造方法。在包括LOCOS氧化物膜的該偏置MOS晶體管中，蝕刻在漏極擴(kuò)散層周邊中形成的該LOCOS氧化物膜(其中需要高耐受電壓)，并且形成該漏極擴(kuò)散層以便擴(kuò)展到位于其中該LOCOS氧化物膜被減薄的區(qū)域下方的半導(dǎo)體襯底的表面區(qū)域中。因此，該漏極擴(kuò)散層的端部被偏置擴(kuò)散層覆蓋，由此發(fā)生在該漏極擴(kuò)散層下部的區(qū)域中的電場(chǎng)集中可以被弛豫。
文檔編號(hào)H01L21/336GK101651104SQ200910164468
公開(kāi)日2010年2月17日 申請(qǐng)日期2009年7月28日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月29日
發(fā)明者北島裕一郎, 吉野英生 申請(qǐng)人:精工電子有限公司