技術(shù)編號：6939699
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及集成電路制造領(lǐng)域，特別是涉及一種。 背景技術(shù)動態(tài)隨機(jī)存儲器(Dynamic Random Access Memory, DRAM)是現(xiàn)在最重要的記憶 存儲元件之一，由于其功能高卻制造成本低廉，被廣泛應(yīng)用于電腦、通訊等領(lǐng)域。所述動態(tài) 隨機(jī)存儲器的存儲單元(memory cell)主要是由一個存儲電容串聯(lián)一個金屬氧化物半導(dǎo)體 晶體管構(gòu)成。其中，存儲電容是作為存儲數(shù)據(jù)的存儲源，晶體管是用來控制對所述存儲電容 中數(shù)據(jù)的存取。具體的說，動態(tài)隨機(jī)存儲器的字線...
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