技術(shù)編號(hào)：6941940
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及，特別涉及碳化硅半導(dǎo)體裝置的終端結(jié) 構(gòu)的制造方法。背景技術(shù)作為襯底材料使用了碳化硅(SiC)的半導(dǎo)體裝置(碳化硅半導(dǎo)體裝置)與使用了 作為現(xiàn)有襯底材料的硅(Si)的半導(dǎo)體裝置(硅半導(dǎo)體裝置)相比，已知是耐電壓特性和溫 度特性優(yōu)越的半導(dǎo)體裝置，并且提出了各種各樣的碳化硅半導(dǎo)體裝置，但實(shí)現(xiàn)可經(jīng)受實(shí)用 的碳化硅半導(dǎo)體裝置仍然存在許多需要解決的問題。作為這些問題中的一個(gè)，例如存在由 于集中于SBD (Schottky Barrier Diode，肖特基勢(shì)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。