技術(shù)編號(hào)：6943203
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及功率用半導(dǎo)體器件，特別涉及具備超結(jié)結(jié)構(gòu)的功率用半導(dǎo)體器件。 背景技術(shù)在功率用半導(dǎo)體器件中，為了減少能量損失而期望低功耗。例如，作為功率用半導(dǎo) 體器件之一的縱向結(jié)構(gòu)功率MOSFET的功耗較大地依賴于決定導(dǎo)通電阻的傳導(dǎo)層(漂移層) 部分的電阻。而且，決定該漂移層的電阻的雜質(zhì)摻雜量根據(jù)基層與漂移層形成的Pn結(jié)的耐 壓而不會(huì)上升至界限以上。因此，在器件耐壓與導(dǎo)通電阻中存在折衷，在該折衷關(guān)系下進(jìn)行 器件的最佳設(shè)計(jì)。另一方面，在該折衷關(guān)系中，有依賴于器件材料...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。