技術(shù)編號(hào):6997947
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造,更具體地說(shuō),涉及一種高壓功率LDMOS器件及其制造方法。背景技術(shù)LDMOS(橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管,Lateral Double-diffuseMOS)器件的制造主要是利用雙擴(kuò)散技術(shù),在相同的有源區(qū)相繼進(jìn)行兩次硼磷擴(kuò)散,由兩次硼磷擴(kuò)散的橫向結(jié)深之差來(lái)精確控制溝道的長(zhǎng)度。LDMOS器件中,在源區(qū)和漏區(qū)之間有高阻層,稱為漂移區(qū)(drift)。漂移區(qū)的存在提高了器件的擊穿電壓,并減小了源、漏兩極之間的寄生電容,有利于改善頻率特性...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。