技術(shù)編號(hào)：6999054
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬 于微電子，具體涉及一種用于銅與鎳硅化合物直接接觸的疊層結(jié)構(gòu)及其制備方法。背景技術(shù)當(dāng)今半導(dǎo)體器件不斷朝著高效化、小型化的方向進(jìn)步，作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)支柱的 CMOS器件更是沿著摩爾定律的方向飛速發(fā)展。由于器件集成度的提升，器件的高速度、低功耗等一直是CMOS器件所要解決的重要問題，為此，人們不斷探究改善這些問題的工藝方法，其中很多成熟方案被應(yīng)用于工業(yè)化生產(chǎn)當(dāng)中。CMOS工藝的發(fā)展進(jìn)步體現(xiàn)在整個(gè)工藝過程的各個(gè)方面。對(duì)于現(xiàn)代CMOS后端工藝中的互連工藝，鋁...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。