技術(shù)編號(hào)：7000150
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體晶體管，尤其是包括設(shè)置為臨近或在柵極電極附近的至少兩個(gè)導(dǎo)電屏蔽元件的橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDM0Q晶體管。特別地，本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體晶體管，尤其是LDMOS晶體管，其與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體晶體管相比具有降低的輸入電容、降低的反饋電容和改進(jìn)的可靠性。背景技術(shù)從WO 03/075354A1中可知，半導(dǎo)體器件包括柵極、源極和漏極，其中第一接地屏蔽和第二接地屏蔽配置用于降低寄生電容。然而，由WO 03/0753M公開的半導(dǎo)體器件可能具有增大的輸...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。