技術(shù)編號(hào)：7008949
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。揭示一種(圖3A到3F)。所述方法包括在襯底(300)的面處形成電介質(zhì)層(306)以及在所述電介質(zhì)層上形成柵極(312)。在所述襯底中在所述柵極附近植入(316)源極和漏極區(qū)(310)。在所述柵極中植入(318)非晶區(qū)以形成非晶區(qū)。在所述柵極附近形成應(yīng)力產(chǎn)生層(332)。對(duì)所述柵極進(jìn)行退火以使所述非晶區(qū)再結(jié)晶。專利說明[0001]本發(fā)明大體涉及通過互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)工藝中的植入誘發(fā)多晶硅非晶化實(shí)現(xiàn)的應(yīng)力記憶技術(shù)。背景技術(shù)[0002]半導(dǎo)體集成...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。