技術(shù)編號(hào):7009074
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及,首先將晶圓放入惰性氣體(如Ar)和氧氣的混合氣體環(huán)境中,氧氣與惰性氣體的體積份數(shù)之比為1100~3100,然后利用日本TEL公司的SPA機(jī)臺(tái)進(jìn)行表面修復(fù),其可以在低溫下產(chǎn)生濃度分布均勻的高密度RLSA等離子體(徑向線縫隙天線等離子體),RLSA等離子體在壓力范圍為5毫托~500毫托,溫度范圍為300℃~400℃,在惰性氣體(如Ar等)與氧氣的環(huán)境下與晶圓背面作用,修復(fù)晶圓背面的表面缺陷,以降低界面缺陷密度,從而獲得很好的器件性能。專利說(shuō)明[00...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。