技術(shù)編號:7033765
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種制造泄漏電流特性及絕緣耐壓特性優(yōu)異的薄膜電容器的方法。進一步詳細而言,涉及一種如下方法,即通過抑制在薄膜電容器的制造工序中發(fā)生的小丘(hillock),并防止由此引起的泄漏電流密度的上升及絕緣耐壓的下降,從而制造這些各種特性優(yōu)異的薄膜電容器的方法。背景技術(shù)DRAM(Dynamic Random Access Memory) > FeRAM(Ferroelectric Random AccessMemory)、RF電路等電子器件具備發(fā)揮作...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。