技術(shù)編號(hào)：7037591
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。在本發(fā)明中，碳化硅襯底(100)具有具有第一導(dǎo)電類型的第一層(121)、設(shè)置在第一層(121)上并且具有第二導(dǎo)電類型的第二層(122)、和設(shè)置在第二層(122)上并且摻雜有提供第一導(dǎo)電類型的雜質(zhì)的第三層(123)。碳化硅襯底(100)具有形成為穿過第三層(123)和第二層(122)并延伸到第一層(121)的溝槽(TR)。第一層(121)在離開第一層(121)中溝槽(TR)的位置上具有雜質(zhì)的濃度峰值。結(jié)果，提供了具有很容易形成的電場緩和結(jié)構(gòu)的碳化硅半導(dǎo)體器件...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。