技術(shù)編號(hào)：7038294
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種浮體存儲(chǔ)單元(100)，該浮體存儲(chǔ)單元(1000)包括第一MOS晶體管(1100)和第二MOS晶體管(1200)，其中至少第二MOS晶體管具有浮體(1204)；其特征在于，第一MOS晶體管和第二MOS晶體管被構(gòu)造成，電荷能夠通過(guò)第一MOS晶體管向/從第二MOS晶體管的浮體移動(dòng)。專利說(shuō)明用于浮體單元的互補(bǔ)FET注入[0001]本發(fā)明涉及一種用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體器件。更具體地，其涉及一種基于浮體(floating body)的存儲(chǔ)單元。[0002...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。