技術(shù)編號：7059344
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明描述了混合相場效應(yīng)晶體管。絕緣層沉積在晶體管結(jié)構(gòu)之上。所述晶體管結(jié)構(gòu)包括襯底上的器件層之上的柵極電極。所述晶體管結(jié)構(gòu)包括在所述器件層上、所述柵極電極的相對側(cè)的第一接觸區(qū)和第二接觸區(qū)。溝槽形成于所述第一接觸區(qū)之上的第一絕緣層中。具有S形IV特性的金屬-絕緣體相變材料層沉積在所述溝槽中或沉積在所述源極側(cè)上方的金屬化層的過孔中。專利說明混合相場效應(yīng)晶體管 [0001] 本發(fā)明的實施例涉及電子器件制造領(lǐng)域；并且更具體地涉及晶體管器件的制造。 背景技術(shù)...
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