技術(shù)編號：7059792
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。一種具有高維持電壓內(nèi)嵌GDPMOS的SCR器件，可用于高壓片上IC的ESD保護電路。主要由P襯底、N阱、P阱、第一N+注入?yún)^(qū)、第一P+注入?yún)^(qū)、第二P+注入?yún)^(qū)、第二N+注入?yún)^(qū)、第三N+注入?yún)^(qū)、第三P+注入?yún)^(qū)、金屬陽極、金屬陰極、多晶硅柵、薄柵氧化層和若干場氧隔離區(qū)構(gòu)成。該具有高維持電壓內(nèi)嵌GDPMOS的SCR器件在高壓ESD脈沖作用下，一方面由第一P+注入?yún)^(qū)、N阱、第二N+注入?yún)^(qū)、P阱、第三N+注入?yún)^(qū)形成寄生SCR電流泄放路徑，提高器件的失效電流、增強器件的...
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