技術(shù)編號(hào)：7061403
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及超結(jié)結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體器件，它呈現(xiàn)出高擊穿電壓和高電流容量，并且可被應(yīng)用于絕緣柵場效應(yīng)晶體管(在下文中稱為“M0SFET”)、絕緣柵雙極晶體管(在下文中稱為“IGBT”)和雙極晶體管。背景技術(shù)含有漂移層的垂直功率半導(dǎo)體器件是本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的，漂移層包括交替排列且兩者與半導(dǎo)體器件的主表面(下文簡稱為“主表面”)平行地彼 此鄰接的重?fù)诫sη-型區(qū)域和重?fù)诫sP-型區(qū)域。重?fù)诫s的η-型區(qū)域和重?fù)诫s的ρ-型區(qū)域的形狀被形成為在與主表面垂直的方向上長且在與主表面平...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。