技術(shù)編號(hào):7063887
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供了一種具有過(guò)渡層的晶硅及鍺化硅薄膜復(fù)合型單結(jié)PIN太陽(yáng)能電池及其制備方法。所述太陽(yáng)能電池在n型硅晶片的前表面或者在n型硅晶片的背表面或者在n型硅晶片的前表面和背表面同時(shí)設(shè)有過(guò)渡層;所述過(guò)渡層為一層或者多層,其中任意一層均為富硅氧化硅層。所述制備方法在硅片完成制絨、拋光和清洗后,加入了前氫化干燥處理,同時(shí),在完成此過(guò)渡層的工藝后,加入了后氫化處理方式,兩種方法用于改善界面質(zhì)量和結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性。采用這種過(guò)渡層并采用了前氫化干燥處理和后氫化處理過(guò)的具有過(guò)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。