技術(shù)編號(hào):7073745
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種,特別是一種用于制造諸如用于功率轉(zhuǎn)換裝置的功率半導(dǎo)體裝置的薄半導(dǎo)體裝置的設(shè)備和方法。背景技術(shù)在以IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)為代表的功率半導(dǎo)體裝置中,正在進(jìn)行的是減小用于生產(chǎn)半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體襯底或晶片的厚度,以實(shí)現(xiàn)裝置的高性能。此外,在進(jìn)行的 是擴(kuò)大晶片的直徑以增加可由晶片構(gòu)成的功率半導(dǎo)體元件的數(shù)目,由此降低半導(dǎo)體裝置的成本。然而,晶片厚度的減小會(huì)導(dǎo)致在晶片的周緣處破損,從而導(dǎo)致晶片破裂。由于薄晶片具有較低的機(jī)械強(qiáng)度,還會(huì)引起的一個(gè)問(wèn)題是...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。