專利名稱：制造半導(dǎo)體裝置的設(shè)備和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制造半導(dǎo)體裝置的設(shè)備和方法，特別是一種用于制造諸如用于功率轉(zhuǎn)換裝置的功率半導(dǎo)體裝置的薄半導(dǎo)體裝置的設(shè)備和方法。
背景技術(shù)：
在以IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)為代表的功率半導(dǎo)體裝置中，正在進(jìn)行的是減小用于生產(chǎn)半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體襯底或晶片的厚度，以實(shí)現(xiàn)裝置的高性能。此外，在進(jìn)行的 是擴(kuò)大晶片的直徑以增加可由晶片構(gòu)成的功率半導(dǎo)體元件的數(shù)目，由此降低半導(dǎo)體裝置的成本。然而，晶片厚度的減小會導(dǎo)致在晶片的周緣處破損，從而導(dǎo)致晶片破裂。由于薄晶片具有較低的機(jī)械強(qiáng)度，還會引起的一個(gè)問題是晶片易于產(chǎn)生裂縫、裂口和撓曲的問題。特別地，在大直徑的晶片中可注意到這些問題。表現(xiàn)出較大撓曲的大直徑薄晶片難以在制造步驟之間運(yùn)輸晶片以及將晶片定位在制造裝置上。垂直的功率半導(dǎo)體裝置的制造過程還需要在晶片的背面上進(jìn)行離子注入、熱處理(退火)、金屬膜沉積等步驟。因此，上述問題致使難以在晶片的背面上實(shí)施這些步驟。為了解決這些問題，已提出一種如下的晶片，在晶片的背面?zhèn)鹊闹芫壧幘哂协h(huán)形加強(qiáng)部以增強(qiáng)厚度減小的晶片。具有環(huán)形加強(qiáng)部的晶片的背面?zhèn)鹊闹芫壉染闹行牟亢?。使用具有環(huán)形加強(qiáng)部的晶片顯著減少晶片的翹曲和撓曲，并在運(yùn)輸步驟中處理晶片時(shí)增強(qiáng)晶片的強(qiáng)度，從而防止晶片產(chǎn)生破損和破裂。圖12A到12D示出具有環(huán)形加強(qiáng)部的晶片形狀。圖12A示出在晶片的周緣處具有環(huán)形加強(qiáng)部111、帶有定向平坦部110的晶片。圖12B示出在晶片的周緣處具有環(huán)形加強(qiáng)部121、帶有槽口 120的晶片。兩種晶片在環(huán)形加強(qiáng)部之內(nèi)的內(nèi)部是用于形成半導(dǎo)體裝置元件的區(qū)域。例如，專利文獻(xiàn)I公開了一種用于制造具有環(huán)形加強(qiáng)部的晶片的方法。該方法使用磨削設(shè)備，該磨削設(shè)備設(shè)有直徑小于晶片直徑的磨削構(gòu)件，并將晶片的中心部磨薄，而留下晶片的背面?zhèn)鹊闹芫壊恳孕纬衫郀钗铩D13A和13B是示出在制造具有環(huán)形加強(qiáng)部的晶片的過程中的磨削步驟的簡化剖視圖。下面參見圖13A和13B描述制造具有環(huán)形加強(qiáng)部的晶片的步驟。首先，將晶片20設(shè)置在磨削設(shè)備的盒內(nèi)(未示出)。在由運(yùn)輸機(jī)器人等定位之后，晶片20被運(yùn)輸?shù)娇ㄎ_10上，并放置到卡吸臺10的附連板12的表面上?？ㄎ_10連接到真空系統(tǒng)(未示出)，該真空系統(tǒng)經(jīng)由附連板12供給負(fù)壓，以如圖13A中所示吸引和保持晶片20。附連板12由例如多孔陶瓷制成。磨削設(shè)備設(shè)有直徑小于晶片直徑的磨削構(gòu)件133。磨削構(gòu)件133在與晶片接觸的接觸表面上具有砂輪。磨削構(gòu)件133在其自身的軸線上轉(zhuǎn)動，而軸線本身則在晶片上轉(zhuǎn)動，以磨削晶片的中心部。磨削設(shè)備僅磨削晶片的中心部，而在周緣部留出與被送入磨削設(shè)備的原始晶片一樣的厚度。因此，晶片22被制造成具有磨削成如圖13b中所示較薄的期望厚度的中心部。圖12C示出在晶片的周緣處具有環(huán)形加強(qiáng)部122 (肋結(jié)構(gòu))的成品薄晶片的剖視圖。圖14A、14B和14C是在制造具有環(huán)形加強(qiáng)部的晶片的過程中的磨削步驟的另一示例的基本部件的剖視圖。
圖14A、14B和14C的磨削設(shè)備設(shè)有含有不同粒度的研磨粒的兩個(gè)磨削構(gòu)件131和132，而圖13A和13B的磨削設(shè)備具有單個(gè)磨削構(gòu)件133。在圖14A、14B和14C的磨削步驟中，在磨削之前，半導(dǎo)體晶片20在由運(yùn)輸機(jī)器人(未示出)等定位之后被運(yùn)輸?shù)娇ㄎ_10上并通過抽吸而保持在附連板12的表面上，該半導(dǎo)體晶片例如可以是具有725微米厚度的八英寸晶片。在如圖14A中所示的第一磨削步驟中，使用磨削構(gòu)件131來磨削晶片20的中心部，該磨削構(gòu)件131設(shè)有含有相對較大平均粒度的研磨粒的砂輪。磨削步驟在晶片20的中心部上向下進(jìn)行到例如100到150微米的預(yù)定剩余厚度，使周緣部留出例如I到5毫米的寬度。在中心部被磨削成期望的厚度之后，如圖14B中所示使用磨削構(gòu)件132來進(jìn)行第二磨削步驟，該磨削構(gòu)件132設(shè)有含有平均粒度小于設(shè)置在磨削構(gòu)件131上的砂輪的平均粒度的研磨粒的砂輪。第二磨削步驟在內(nèi)圓周直徑小于由第一磨削步驟形成的凹入的內(nèi)圓周直徑的區(qū)域上將經(jīng)過第一磨削步驟加工的晶片的背面磨削到例如60到120微米的預(yù)定厚度。因此，如圖14C中所示，制成具有環(huán)形加強(qiáng)部的晶片23。在此，第二磨削步驟將晶片磨削到內(nèi)徑小于在第一磨削步驟中形成所的凹入的內(nèi)徑，這是因?yàn)榭紤]到在第二磨削步驟中使用的磨削機(jī)的定位精度。因此，在第二磨削步驟中使用的磨削構(gòu)件132并不與在第一磨削步驟中形成的環(huán)形加強(qiáng)部的側(cè)壁相接觸。僅在中心部上磨削晶片，而留下晶片的周緣部。因此，制成如圖14C中所示的晶片23，該晶片機(jī)僅在晶片的中心部上被加工成所期望的厚度，而使周緣部留有如被送入到磨削設(shè)備中時(shí)的厚度。圖12D是示出在晶片的周緣處具有環(huán)形加強(qiáng)部(肋結(jié)構(gòu))123的晶片的剖視圖。具有形成于晶片的周緣區(qū)域處的環(huán)形加強(qiáng)部的晶片被傳送到用于清潔和干燥的下一步驟。未在圖13A、13B、14A、14B和14C中示出的運(yùn)輸裝置從卡吸臺10的附連板12拾取晶片并將其運(yùn)輸?shù)筋A(yù)定目的地。為了運(yùn)輸具有環(huán)形加強(qiáng)部(肋結(jié)構(gòu))的晶片，專利文獻(xiàn)2例如公開了一種環(huán)形部的上表面通過抽真空抽吸而吸引來運(yùn)輸晶片的構(gòu)造。[專利文獻(xiàn)I:]日本待審查的專利申請公開第2007-173487號[專利文獻(xiàn)2]日本待審查的專利申請公開第2009-059763號在通過磨削設(shè)備來進(jìn)行磨削以在晶片的周緣處形成環(huán)形加強(qiáng)部的過程中，一般以連續(xù)的步驟來實(shí)施該過程。
在完成磨削步驟之后，將具有環(huán)形加強(qiáng)部(肋結(jié)構(gòu))的晶片從卡吸臺移出并傳送到接下來的清潔和干燥步驟。同時(shí)，用刷子等來清潔卡吸臺上的附連板，供應(yīng)下一塊待磨削的晶片，并通過抽吸來將該晶片保持到卡吸臺上。圖15A、15B和15C示出用于運(yùn)輸晶片的傳統(tǒng)設(shè)備和過程。將完成磨削步驟之后并具有在該步驟中所形成的環(huán)形加強(qiáng)部的晶片22從卡吸臺10移出并由運(yùn)輸裝置80傳送到下一步驟。運(yùn)輸裝置80在支承構(gòu)件82的下端處設(shè)有吸引構(gòu)件81，并將來自于真空系統(tǒng)(未示出)的負(fù)壓經(jīng)由支承構(gòu)件82內(nèi)的供給和排氣系統(tǒng)(未示出)傳遞到吸引構(gòu)件81的底面。吸引構(gòu)件81如圖15A中所示通過抽吸來吸引晶片22較薄的中心部。通過抬升支承構(gòu)件82且吸引構(gòu)件81吸引晶片22的較薄區(qū)域，將晶片22從卡吸臺10移出。盡管如在專利文獻(xiàn)2中公開的那樣僅在環(huán)形加強(qiáng)部處吸引晶片，但用于拾取和運(yùn)輸晶片的足夠抽吸需要所吸引的環(huán)形加強(qiáng)部的上表面的平坦且足夠的面積。平坦上表面的較大面積減小了晶片中心部的面積，而該中心部是裝置形成區(qū)域。
如圖15A中所不地在晶片的中心部處吸引晶片確保吸引晶片并進(jìn)彳丁運(yùn)輸而不不會失敗所需的面積?；蛘撸鐖D16A中所示，通過設(shè)置在運(yùn)輸裝置90的臂91的端部處的保持構(gòu)件92，可在晶片的外周緣端部處保持完成了磨削步驟之后、具有環(huán)形加強(qiáng)部的晶片。運(yùn)輸裝置90的臂91可移動，因而保持構(gòu)件92可接近和離開晶片22的環(huán)形加強(qiáng)部。保持構(gòu)件92從離開環(huán)形加強(qiáng)部的位置運(yùn)動并在晶片的環(huán)形加強(qiáng)部保持將晶片22。然后，臂91被抬升，同時(shí)用保持構(gòu)件92來保持晶片22的環(huán)形加強(qiáng)部，以從卡吸臺10移除晶片22。該流程允許將晶片22傳送到下一步驟，而不碰觸晶片22的薄化部分。包括磨削步驟的過程必須是連續(xù)的。連續(xù)過程所需的總時(shí)間應(yīng)減少，晶片上進(jìn)行的連續(xù)過程包括傳送、放置、磨削、拾取、清潔卡吸臺以及傳送下一塊晶片。在拾取晶片以傳送到下一步驟的步驟中，具體來說必須同時(shí)解決兩個(gè)問題縮短拾取晶片的時(shí)間和防止晶片受到任何損壞?？ㄎ_10具有在磨削步驟中滴到晶片上的洗凈水和留在附連板12(圖15A)或組合的附連板13和14(圖16B)上的用于卡吸臺10的清潔過程的洗凈水。附連板12 (圖15A)或組合的附連板13和14(圖16B)在下面被稱為“附連板12或13和14”。如果洗凈水留在晶片22和附連板12或13和14之間，則晶片22由于洗凈水的表面張力而附著于附連板12或13和14。在用于形成環(huán)形加強(qiáng)部的磨削步驟中，從真空系統(tǒng)(未示出)經(jīng)由供給和排氣路徑11而將負(fù)壓供給到附連板12或13和14上。在磨削步驟之后，解除卡吸臺10上的附連板12或13和14的負(fù)壓。然而,在解除負(fù)壓之后,洗凈水的存在仍阻止空氣經(jīng)由卡吸臺10的多孔附連板12或13和14進(jìn)行泄漏并致使晶片22仍附著于附連板12或13和14上。如果在解除負(fù)壓之后，晶片22在附連板12或13和14上停留一較長時(shí)間段，例如10分鐘，則經(jīng)由附連板12或13和14的空氣泄漏將進(jìn)行，而晶片22將變得易于移出。然而，這種手段留下拾取晶片所需的時(shí)間減少這一問題沒有解決并降低運(yùn)輸操作的效率。如果附著于附連板12或13和14的晶片22被迫分離，則易于折斷的薄晶片22將引起碎裂和破裂。因此，留下沒有損壞地拾取晶片這一問題沒有解決。用于拾取晶片22的持續(xù)時(shí)間可通過在解除負(fù)壓之后將水、空氣或其混合物(由圖15B和15C和圖16B中的附圖標(biāo)記70和71表示)經(jīng)由供給和排氣路徑11供給到位于卡吸臺10上的附連板12或13和14來縮短。通過經(jīng)由附連板而吹出水、空氣及其混合物(70，71)，將正壓供給到卡吸臺10上的附連板12或13和14。由運(yùn)輸裝置(圖15A中的80、圖16A和16B中的90)將解除與卡吸臺10上的附連板的附著并與其分離之后的晶片傳送到下
一步驟。圖15B、15C和16B中所示的吹出水、空氣及其混合物70、71致使晶片22變形。特別是在磨削步驟中被砂輪損壞的位置處以及具有變化的曲率的位置處易于產(chǎn)生應(yīng)力集中。 這些位置由圖13B中的標(biāo)記223以及圖14C中的標(biāo)記233來表示。晶片22的變形非?？赡艹霈F(xiàn)在如下部分處圖15C中指出的部分B處，在該部分處，晶片22被運(yùn)輸裝置80的吸引構(gòu)件81所推動；以及在圖16B中指出的部分B處，在該部分處晶片22的厚度有變化。由于如由圖15C和16B中的箭頭A所示使晶片局部浮動離開的這種變形，晶片22其磨削表面上發(fā)生裂縫。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是解決傳統(tǒng)技術(shù)中的上述問題并提供一種用于制造半導(dǎo)體裝置的設(shè)備和方法，該設(shè)備和方法允許晶片在其被吸引到卡吸臺上并在卡吸臺的表面上被磨削之后安全和可靠地被拾取。在本發(fā)明的方法中，半導(dǎo)體晶片的正面被吸引到卡吸臺的附連板，而半導(dǎo)體晶片的背面在內(nèi)部區(qū)域內(nèi)被磨削成在晶片的周緣處留有環(huán)形加強(qiáng)部的凹入構(gòu)造。在將具有環(huán)形加強(qiáng)部的半導(dǎo)體晶片從卡吸臺運(yùn)輸?shù)牧鞒讨?，在保持住具有環(huán)形加強(qiáng)部的晶片之前，在與將被保持的位置不同的位置處，從背面?zhèn)认蛘鎮(zhèn)韧苿影雽?dǎo)體晶片。正壓供給到卡吸臺以解除半導(dǎo)體晶片的正面的附著。當(dāng)解除在與待保持的位置不同的位置處的從背面?zhèn)认蛘鎮(zhèn)榷鴫旱职雽?dǎo)體晶片的壓力之后，在保持半導(dǎo)體晶片的同時(shí)，從卡吸臺拾取具有環(huán)形加強(qiáng)部的半導(dǎo)體晶片。本發(fā)明的方法解決前述問題。根據(jù)本發(fā)明，晶片可以安全和可靠地被拾取并被平穩(wěn)地運(yùn)輸?shù)筋A(yù)定目的地，而防止晶片碎裂和破裂。


圖IA和IB示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的第一方面；圖2A和2B示出處于圖IA和IB中那些狀態(tài)之后的狀態(tài)下的根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例
的第一方面；圖3A和3B示出處于圖2A和2B中那些狀態(tài)之后的狀態(tài)下的根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例
的第一方面；圖4A、4B和4C是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的第一方面的時(shí)序圖；圖5A和5B示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的第一方面的運(yùn)輸裝置的基本部件，其中圖5A是剖視圖，而圖5B是立體圖；圖6A和6B示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的第一方面的運(yùn)輸裝置的改型；
圖7A和7B示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的第二方面；圖8A和8B示出處于圖7A和7B中那些狀態(tài)之后的狀態(tài)下的根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例
的第二方面；圖9A和9B示出處于圖8A 和8B中那些狀態(tài)之后的狀態(tài)下的根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例
的第二方面；圖10AU0B和IOC是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的第二方面的時(shí)序圖；圖IlA和IlB示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的第二方面的運(yùn)輸裝置的改型；圖12A、12B、12C和12D示出具有環(huán)形加強(qiáng)部的晶片；圖13A和13B示出具有環(huán)形加強(qiáng)部的晶片的制造過程；圖14A、14B和14C示出具有環(huán)形加強(qiáng)部的晶片的制造過程；圖15A、15B和15C示出傳統(tǒng)的運(yùn)輸裝置；以及圖16A和16B示出傳統(tǒng)的運(yùn)輸裝置。[附圖標(biāo)記的說明]10卡吸臺11供給和排氣路徑12，13，14 附連板20，22，23 晶片30吸引機(jī)構(gòu)40,50,80 和 90 運(yùn)輸裝置31吸引構(gòu)件32支承構(gòu)件41按壓墊滑動部件42按壓墊支承臂43按壓墊44按壓墊支承板45按壓材料46按壓管支承臂47按壓管51支承臂52保持構(gòu)件53支承構(gòu)件54按壓墊55按壓構(gòu)件56按壓氣囊支承構(gòu)件57按壓氣囊70，71由于水、空氣及水和空氣的混合物而造成的正壓8I吸引構(gòu)件82支承構(gòu)件91 臂
92保持構(gòu)件110定向平坦部111，121，122，123 環(huán)形加強(qiáng)部120 槽口131，132，133 磨削構(gòu)件
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在，下文將參照附圖來詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的一些方面。 <實(shí)施例的第一方面>如圖12A至12D中所示的在晶片周緣處具有環(huán)形加強(qiáng)部的晶片可通過如圖13A、13B和圖14A、14B和14C中所示的過程來形成。上文已對圖12A到12D以及圖13A、13B和圖14A、14B和14C作描述，在此不作重復(fù)。圖1A、1B、圖2A、2B、圖3A、3B、圖4A、4B、4C和圖5A、5B示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的第一方面。在這些圖中，圖4A、4B和4C是示出在實(shí)施例的一些部件上的壓力的時(shí)序圖。圖IA示出通過抽吸而被吸引到卡吸臺10的附連板12的表面上的晶片22。附連板12由多孔材料制成并具有為了附連晶片22而機(jī)加工成平坦?fàn)畹谋砻??？ㄎ_10通過供給和排氣路徑11而連接到真空系統(tǒng)(未示出)。由真空系統(tǒng)供給的負(fù)壓(通過標(biāo)記60表示)被傳遞到附連板12的表面并通過真空抽吸來吸引晶片22。圖IA示出完成了如圖12A到12D、圖13A、13B和圖14A、14B和14C所示的磨削步驟之后的晶片22。下面描述根據(jù)程序的順序?qū)⒕?2傳遞到下一步驟的流程。圖IA示出完成磨削步驟之后而在晶片22上方待用的運(yùn)輸裝置40。運(yùn)輸裝置40包括作為拾取裝置的吸引機(jī)構(gòu)30(圖2B中所示)以及包括按壓墊43、按壓墊支承臂42和按壓墊滑動構(gòu)件41的按壓裝置。作為加強(qiáng)部按壓機(jī)構(gòu)的按壓墊43按壓晶片22的環(huán)形加強(qiáng)部。按壓墊支承臂42支承按壓墊43并固定到按壓墊滑動部件41，因而，按壓墊43被允許獨(dú)立于吸引機(jī)構(gòu)30而垂直移動。在此實(shí)施例中，按壓墊43由彈性材料構(gòu)成。對于用于按壓墊43的材料，盡管不限于彈性材料，但其較佳地具有跟隨晶片22的環(huán)形加強(qiáng)部的形狀的彈性可變形性以及能經(jīng)受通過附連板12而吹起的空氣或類似物的剛度，下面將描述這種吹起。有利的材料包括諸如EVA樹脂的泡沫樹脂和硅酮橡膠。按壓墊43具有環(huán)形形狀，該環(huán)形形狀的寬度比晶片22的環(huán)形加強(qiáng)部的寬度大并朝內(nèi)側(cè)和外側(cè)突出，以覆蓋加強(qiáng)部的整個(gè)寬度。按壓墊43具有較佳地為從環(huán)形加強(qiáng)部的位置朝內(nèi)側(cè)和外側(cè)突出大于I毫米尺寸的寬度。不管按壓墊43是否有一定位置偏差，按壓墊43的尺寸都覆蓋環(huán)形加強(qiáng)部而不會失敗。按壓墊43的內(nèi)側(cè)部至少覆蓋晶片22的凹入部的內(nèi)側(cè)壁。此外，在如圖IA中所示的晶片22已經(jīng)過如圖14A、14B和14C中所示的兩個(gè)階段磨削的情況下，按壓墊43較佳地覆蓋在第二磨削步驟中產(chǎn)生的臺階部分。圖2B所示的吸引機(jī)構(gòu)30的圖IA所示吸引構(gòu)件31固定到支承構(gòu)件32 (在圖2B中示出)并可獨(dú)立于按壓墊43垂直移動。支承構(gòu)件32包括與吸引構(gòu)件31的下表面連通的排氣路徑(未示出)。排氣路徑連接到真空系統(tǒng)(未示出)并供給負(fù)壓以將晶片22吸引和保持在吸引構(gòu)件31的表面上。在圖IA中所示的實(shí)施例中，吸引機(jī)構(gòu)30的吸引構(gòu)件31與晶片22的接觸面和按壓墊43與晶片22的接觸面共面。然后，吸引構(gòu)件31和按壓墊43如圖IB中所示被降低直至吸引構(gòu)件31與晶片22的薄部接觸，而按壓墊43被推抵晶片22的環(huán)形加強(qiáng)部并彈性變形。上述說明中的吸引構(gòu)件31和按壓墊43同時(shí)降低。然而，另一種流程也是可以的，即兩構(gòu)件中的一個(gè)先降低，而另一個(gè)隨之降低。圖4A示出施加到被放置于卡吸臺10的附連板12上的晶片22的壓力，圖4B示出從吸引構(gòu)件31施加到晶片22上的壓力；而圖4C示出由按壓墊43施加到晶片22上的壓力。圖IB中所示的狀態(tài)是在圖4A、4B和4C中時(shí)刻tl的狀態(tài)。如圖4A中所示，負(fù)壓已被供給到卡吸臺10的附連板12的表面。吸引構(gòu)件31從圖IA中的位置降低，并到達(dá)晶片22的位置，但還未如圖4B中所示供給用于吸引晶片22的負(fù)壓。在到達(dá)晶片22的環(huán)形加強(qiáng)部之后，按壓墊43借助于按壓墊本身的彈性變形而進(jìn)一步向下推動，直至環(huán)形加強(qiáng)部 上的壓力到達(dá)預(yù)定值的時(shí)刻tl。然后，流程進(jìn)行到圖2A中所示的狀態(tài)。在圖2A的狀態(tài)下，經(jīng)由供給和排放路徑11的負(fù)壓供給停止，并開始在卡吸臺10的附連板12的表面上供給來自正壓供給系統(tǒng)(未示出)的正壓(通過標(biāo)記70來表示)，以便于從卡吸臺10移出晶片22。通過經(jīng)由供給和排氣路徑11而供給的水、空氣及水和空氣的混合物來給出正壓，且該正壓在時(shí)刻t2實(shí)現(xiàn)預(yù)定值。由于環(huán)形加強(qiáng)部、包括其附近部分被按壓墊43推向卡吸臺10的附連板12，所以抑制了通過附連板12而吹出水、空氣及水和空氣的混合物，以防止周緣區(qū)域像圖15C中所示那樣局部浮起。由于不發(fā)生局部浮起，所以在磨削步驟中產(chǎn)生的剩余損壞的位置處或變化曲率的位置處沒有出現(xiàn)應(yīng)力集中。因此，在將正壓施加到附連板12的表面上時(shí)，晶片22不經(jīng)受諸如裂縫的任何破損。在持續(xù)施加一預(yù)定時(shí)間段之后，在時(shí)刻t3停止施加正壓70。然后，流程進(jìn)行到圖2B中所示的狀態(tài)。在停止施加正壓70之后，在時(shí)刻t4單獨(dú)升高按壓墊滑動部件41。而支承構(gòu)件32以及吸引構(gòu)件31并不運(yùn)動。由按壓墊43施加的壓力在升高按壓墊滑動部件41的過程中降低并最終在按壓墊43離開晶片22的環(huán)形加強(qiáng)部時(shí)變?yōu)榱?。接下來在時(shí)刻t5，經(jīng)由支承構(gòu)件32中的排氣路徑(未示出)對吸引構(gòu)件31供給負(fù)壓，以吸引晶片22的薄部。在t5時(shí)刻，如參見圖2A先前所述，晶片22和附連板12之間的附著通過在t2到t3的時(shí)間段中施加正壓70來解除。因此，在通過吸引構(gòu)件31吸引晶片22之后，可通過如圖3A中所示抬升吸引構(gòu)件31而容易地從卡吸臺10拾取晶片22。通過升高吸引構(gòu)件31所固定到的支承構(gòu)件32來升高吸引構(gòu)件31。接下來，如圖3B中所示，運(yùn)輸裝置40沿水平方向運(yùn)動，而吸引構(gòu)件31吸引晶片22。上述實(shí)施例允許快速地解除晶片22在卡吸臺10上的附著。在圖4A、4B和4C中從t2到t3的持續(xù)時(shí)間是約例如三秒鐘，而通常，為避免對晶片的損壞，自然地解除這種附著要花10秒鐘(不加入用于快速解除的任何動作)。由此，實(shí)現(xiàn)時(shí)間的大幅減少。晶片被拾取而無任何損壞，并被傳送到下一步驟。圖5A和5B示出運(yùn)輸裝置40的基本部件，其中圖5A是剖視圖，而圖5B是立體圖。吸引構(gòu)件31固定到支承構(gòu)件32。支承構(gòu)件32包括用于從真空系統(tǒng)(未示出)在吸引構(gòu)件31表面處供給負(fù)壓的排氣路徑。按壓墊滑動部件41圍繞支承構(gòu)件32設(shè)置，以獨(dú)立于支承構(gòu)件32作垂直運(yùn)動。按壓墊滑動部件41由來自驅(qū)動系統(tǒng)(未示出)的動力垂直驅(qū)動。圖5A和5B示出這樣一種狀態(tài)按壓墊滑動部件41被抬升到按壓墊43與晶片22的接觸平面高于吸引構(gòu)件31的吸引表面的位置。支承構(gòu)件32和按壓墊滑動部件41同軸構(gòu)造，且運(yùn)輸裝置40作為結(jié)合了吸引構(gòu)件31和按壓墊43的單體以垂直運(yùn)動運(yùn)動到晶片22和卡吸臺10上方并以水平運(yùn)動從高于卡吸臺10的位置運(yùn)動到沿水平的不同位置。圖5A和5B示出按壓墊支承板44。盡管可使用如圖IA到3B中所示的由按壓墊支承臂42直接支承按壓墊43的構(gòu)造，但也可以采用另一種構(gòu)造，其中如圖5A和5B中所示， 按壓墊43固定到按壓墊支承板44，而按壓墊支承板44固定到按壓墊支承臂42。按壓墊支承板44具有由于吸引構(gòu)件31而不妨礙按壓墊43的垂直運(yùn)動的構(gòu)造，并且例如是如圖5B中所示的環(huán)形盤。對用于支承按壓墊43的按壓墊支承板44的使用牢固地保持由諸如泡沫樹脂的彈性材料制成的按壓墊43，并將均勻的壓力施加到晶片22上。圖6A和6B不出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的第一方面的改型。在圖6A的裝置中，由彈性材料制成的、設(shè)置在圖IA中所示的運(yùn)輸裝置40內(nèi)的按壓墊43被由彈性變形度較小的材料制成的按壓構(gòu)件45代替。按壓構(gòu)件45可由諸如聚碳酸酯、聚酰胺等的工程塑料制成。由彈性變形度較小的材料制成的按壓構(gòu)件45不跟隨環(huán)形加強(qiáng)部的形狀來變形。然而，通過按壓構(gòu)件45而被推向卡吸臺的環(huán)形加強(qiáng)部不像圖15C中所示構(gòu)造那樣通過經(jīng)由附連板12吹起水、空氣及水和空氣混合物而局部浮起。本身具有一定剛度的按壓構(gòu)件45可容易地附連于按壓墊支承臂42。在圖6B的裝置中，由彈性材料制成、設(shè)置在圖IA中所示的運(yùn)輸裝置40內(nèi)的按壓墊43被中空的按壓管47代替。按壓管47是由在其中空部內(nèi)包含空氣等的、由諸如橡膠的彈性材料所制成的環(huán)形管。類似于圖IB中所示的按壓墊43，如圖6B中所示，按壓管47在壓抵環(huán)形加強(qiáng)部時(shí)跟隨加強(qiáng)部的形狀而變形。按壓管47以其中空部填充有空氣等的狀態(tài)而附連于按壓墊支承臂42。或者，按壓管47可代替按壓墊支承臂42而附連于設(shè)有至按壓管47的供給和排氣路徑的按壓管支承臂46。被按壓管47推向卡吸臺的環(huán)形加強(qiáng)部不像圖15C中所示的構(gòu)造那樣通過經(jīng)由附連板12吹起的水、空氣及水和空氣混合物而局部浮起。按壓管支承臂46的使用控制著管內(nèi)的壓力，由此調(diào)節(jié)管子跟隨加強(qiáng)部構(gòu)造的變形程度以及加強(qiáng)部上的推力。<實(shí)施例的第二方面>下面將參見圖7A、7B，圖8A、8B，圖9A、9B以及圖10AU0B和IOC描述根據(jù)本發(fā)明
的實(shí)施例的第二方面。圖7A、7B，圖8A、8B，圖9A、9B以及圖10AU0B和IOC示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的第二方面。在這些圖中，圖IOAUOB和IOC是示出該實(shí)施例的一些部件上的壓力的時(shí)序圖。圖7A示出通過抽吸而被吸引到卡吸臺10的附連板13和14的表面上的晶片22。附連板13和14由多孔材料制成并具有為了附連晶片22而被機(jī)加工成平坦?fàn)畹谋砻妗Ｓ糜诟竭B晶片22外周緣部的附連板13由密度相對較高的多孔材料制成并具有有效地將負(fù)壓從供給和排氣路徑11傳遞到晶片22的附連表面的結(jié)構(gòu)。由于密度相對較高的多孔材料，即使附連板13的外周緣部暴露于大氣，附連板13也只有最小程度的到用于真空抽吸的供給和排氣路徑11的大氣泄漏，該外周緣部不被晶片22所覆蓋且不與晶片22接觸。用于通過抽吸而附連晶片22中心部的附連板14由密度相對較低的多孔材料制成并具有有效地將負(fù)壓從供給和排氣路徑11傳遞到晶片22的吸引表面的結(jié)構(gòu)?？ㄎ_10經(jīng)由供給和排氣路徑11而連接到真空系統(tǒng)(未示出)。由真空系統(tǒng)供給的負(fù)壓(通過標(biāo)記60表示)被傳遞到附連板13和14的表面并通過真空抽吸來吸引晶片22。圖7A示出完成了如圖12A到12D、圖13A、13B和圖14A、14B和14C的磨削步驟之后的晶片22。下面描述根據(jù)流程的順序?qū)⒕?2傳遞到下一步驟的流程。圖7A示出完成磨削步驟之后在晶片22上方待用的運(yùn)輸裝置50。運(yùn)輸裝置50包括保持構(gòu)件52，該保持構(gòu)件是用于在其最外面的周緣部處保持晶片22的環(huán)形加強(qiáng)部的保持機(jī)構(gòu)；支承臂51，該支承臂用于支承保持構(gòu)件52 ;按壓墊54，該按壓墊是用于按壓晶片22的薄部并獨(dú)立于保持構(gòu)件52而垂直運(yùn)動的內(nèi)部區(qū)域按壓機(jī)構(gòu)；以及支承構(gòu)件53，該支承構(gòu)件用于支承按壓墊54。按壓墊54按壓晶片22的薄部(內(nèi)部區(qū)域)。在此實(shí)施例中，按壓墊54由彈性材料制成。對于用于按壓墊54的材料，盡管不限于彈性材料，但其較佳地具有跟隨晶片22的環(huán)形加強(qiáng)部的形狀的彈性可變形性以及能經(jīng)受通過附連板13和14而吹起的空氣或類似物的剛度，下文描述這種吹起。有利的材料包括諸如EVA樹脂的成形樹脂和娃酮橡膠。按壓墊54具有覆蓋薄凹入部和環(huán)形加強(qiáng)部內(nèi)側(cè)部的盤的形狀。按壓墊54具有略微大于薄凹入部并能夠覆蓋環(huán)形加強(qiáng)部的內(nèi)側(cè)部的尺寸。按壓墊54的直徑較佳地大于環(huán)形加強(qiáng)部的內(nèi)周緣直徑約I毫米。不管按壓墊54是否有一定位置偏差，按壓墊54的尺寸覆蓋環(huán)形加強(qiáng)部的內(nèi)周緣端部處的臺階部而不會失敗。按壓墊54較佳地覆蓋薄凹入部的外側(cè)壁(或環(huán)形加強(qiáng)部的內(nèi)周緣側(cè)壁)。然而，至少按壓薄凹入部的按壓墊54可抑制如圖16B中所示的局部浮起。此外，在像圖7A中所示晶片那樣的晶片22通過圖14A、14B和14C中所示的兩個(gè)階段被磨削的情況中，按壓墊54較佳地覆蓋在第二磨削步驟中產(chǎn)生的臺階部。保持構(gòu)件52在比如圖7A中所示比晶片22的外周緣更外的位置處待用，并可獨(dú)立于固定到支承構(gòu)件53的按壓墊54作垂直運(yùn)動。在圖7A中所示的示例中，按壓墊54在晶片22上方待用。隨后，保持構(gòu)件52和按壓墊54如圖7B中所示被降低，直至按壓墊54與晶片22的薄凹入部接觸并借助于按壓墊54的彈性變形來按壓晶片22。上述說明中的保持構(gòu)件52和按壓墊54被同時(shí)降低。然而，另一種流程也是可以的，即兩個(gè)構(gòu)件中的一個(gè)先降低，另一個(gè)隨之降低。圖IOA示出施加到放置于卡吸臺10的附連板的表面上的晶片22的壓力。圖IOB、示出由保持構(gòu)件52所施加的、以在晶片的外周緣部(即環(huán)形加強(qiáng)部)處保持晶片22的力。圖IOC示出由按壓墊54施加到晶片22上的壓力。圖7B中所示狀態(tài)是在圖10AU0B和IOC中時(shí)刻tl的狀態(tài)。如圖IOA中所示，將負(fù)壓供給到卡吸臺10的附連板13和14的表面。保持構(gòu)件52從圖7A中的位置降低并到達(dá)與晶片22相同的水平高度，但還未運(yùn)動到保持晶片22的位置。在到達(dá)晶片22的薄凹入部之后，按壓墊54借助于按壓墊本身的彈性變形而進(jìn)一步向下推動，直至按壓墊54以預(yù)定壓力按壓薄凹入部和環(huán)形加強(qiáng)部的一部分的時(shí)刻tl。隨后，流程進(jìn)行到圖8A中所示的狀態(tài)。在圖8A的狀態(tài)下，保持構(gòu)件52從晶片的外側(cè)接近晶片22并保持環(huán)形加強(qiáng)部。在此示例中的保持構(gòu)件52具有如圖8A中所示保持環(huán)形加強(qiáng)部的上表面和下表面的構(gòu)造。對環(huán)形加強(qiáng)部的上表面的保持抑制晶片22的外周緣部由于水、空氣等的吹起而浮起。對環(huán)形加強(qiáng)部的下表面的保持便于在后續(xù)步驟中拾取 晶片22。隨后，停止經(jīng)由供給和排氣路徑11的負(fù)壓供給，并在圖10A、10B和IOC中所示的時(shí)刻t2開始在卡吸臺10的附連板13和14的表面上供給正壓(通過標(biāo)記70表示)，以便于從卡吸臺10移除晶片22。通過經(jīng)由供給和排氣路徑11供給水、空氣及水和空氣的混合物來給出正壓。在此狀態(tài)下，按壓墊54朝向卡吸臺10按壓薄凹入部、薄凹入部和環(huán)形加強(qiáng)部之間的邊界區(qū)域以及晶片22的環(huán)形加強(qiáng)部的一部分。因此，抑制通過附連板13和14而吹出水、空氣及水和空氣的混合物，以避免如圖16B中所示的局部浮起。由于不發(fā)生局部浮起，所以在磨削步驟中產(chǎn)生的剩余損壞的位置或變化曲率的位置處不發(fā)生應(yīng)力集中。因此，在將正壓施加到附連板13和14的表面上時(shí)，晶片22不經(jīng)受諸如裂縫的任何破損。在施加正壓70一個(gè)預(yù)定時(shí)間段之后，在圖10AU0B和IOC中所示的時(shí)刻t3停止施加正壓70。隨后，流程進(jìn)行到圖8B中所示的狀態(tài)。在停止施加正壓70之后，在圖10AU0B和IOC中所示的時(shí)刻t4單獨(dú)抬升按壓墊54。而保持構(gòu)件52不被移動。由按壓墊54施加的壓力在抬升按壓墊54的過程中降低，并最終在按壓墊54離開晶片22時(shí)變?yōu)榱?。在此過程中，通過在從時(shí)刻t2到時(shí)刻t3的時(shí)間段過程中將正壓70施加到附連板13和14上來解除晶片22在附連板13和14上的附著。晶片22的外周緣部(或環(huán)形加強(qiáng)部)由保持構(gòu)件52來保持。因此，在下一步驟中，如圖9A中所示，可通過抬升保持構(gòu)件52容易地從卡吸臺10拾取晶片。保持構(gòu)件52與固定按壓墊54的支承構(gòu)件53 —起被抬升。因此，按壓墊54不與晶片22接觸。接下來，運(yùn)輸裝置50開始以保持構(gòu)件52保持晶片22的外周緣部(或環(huán)形加強(qiáng)部)的狀態(tài)如圖9B中所示作水平運(yùn)動。上述實(shí)施例允許快速地解除晶片22在卡吸臺10上的附著。圖10A、10B和IOC中從t2到t3的時(shí)間段是約例如3秒鐘，而通常為了避免對晶片的損壞，自然地解除這種附著要花10秒鐘(不加入用于快速解除的任何動作)。因此，實(shí)現(xiàn)對時(shí)間的大幅減少。晶片被拾取而無任何損壞，并被傳送到下一步驟。盡管未在附圖中示出，但圖7A中所示的按壓墊54能被固定到像圖5A和5B中示出的構(gòu)造那樣附加設(shè)置的按壓墊支承板。按壓墊支承板具有由于保持構(gòu)件52而不與按壓墊54的垂直運(yùn)動干涉的構(gòu)造。對用于支承按壓墊54的按壓墊支承板的使用牢固地保持由諸如泡沫樹脂的彈性材料制成的按壓墊54并將均勻的壓力施加到晶片22上。圖IlA和IlB示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的第二方面的改型。在圖IlA的裝置中，由彈性材料制成、設(shè)置在圖7A中所示的運(yùn)輸裝置50內(nèi)的按壓墊54被由彈性變形度較小的材料制成的按壓構(gòu)件55所代替。按壓構(gòu)件55可由諸如聚碳酸酯、聚酰胺等的工程塑料制成。按壓構(gòu)件55只與晶片22的薄凹入部接觸。這是因?yàn)橛蓮椥宰冃味容^小的材料制成的按壓構(gòu)件55不跟隨環(huán)形加強(qiáng)部的形狀而變形。然而，被按壓構(gòu)件55推向卡吸臺10的晶片22的薄凹入部不像圖16B中所示構(gòu)造那樣通過經(jīng)由附連板14吹起的水、空氣和水和空氣混合物而局部浮起。

本身具有一定剛度的按壓構(gòu)件55可容易地附連于支承構(gòu)件53。在圖IlB的裝置中，由彈性材料制成、設(shè)置在圖7A中所示的運(yùn)輸裝置50內(nèi)的按壓墊54被中空的按壓氣囊57代替。按壓氣囊57是由諸如橡膠的彈性材料制成的氣囊，該氣囊中含有空氣等。類似于圖7B中所示的按壓墊54，如圖IlB中所示，按壓氣囊57在壓抵環(huán)形加強(qiáng)部時(shí)跟隨加強(qiáng)部的形狀而變形。按壓氣囊57以其內(nèi)部填充有空氣等的狀態(tài)而附連于支承構(gòu)件53。或者，按壓氣囊57可代替支承構(gòu)件53而附連于設(shè)有至按壓氣囊57的供給和排氣路徑的按壓氣囊支承構(gòu)件56。被按壓氣囊57推向卡吸臺的晶片22的薄凹入部和環(huán)形加強(qiáng)部的內(nèi)部不會像圖16B中所示構(gòu)造那樣由于經(jīng)由附連板13和14吹起的水、空氣或水和空氣的混合物而局部浮起。按壓氣囊支構(gòu)件56的使用控制著氣囊內(nèi)的壓力，由此調(diào)節(jié)氣囊跟隨加強(qiáng)部的構(gòu)造的變形程度以及加強(qiáng)部上的推力。
權(quán)利要求
1.一種用于制造半導(dǎo)體裝置的方法，所述方法包括如下步驟 通過抽吸將半導(dǎo)體晶片的正面附連到卡吸臺的附連板的表面上； 從所述半導(dǎo)體晶片的背面將所述半導(dǎo)體晶片的內(nèi)部區(qū)域磨削成具有凹入構(gòu)造，而在所述半導(dǎo)體晶片的外周緣部處留有環(huán)形加強(qiáng)部；以及 在保持所述半導(dǎo)體晶片的同時(shí)，從所述卡吸臺運(yùn)輸具有所述環(huán)形加強(qiáng)部的所述半導(dǎo)體 ； 運(yùn)輸所述半導(dǎo)體晶片的步驟包括如下幾步 在與所述半導(dǎo)體晶片將被保持的位置不同的位置上從所述半導(dǎo)體晶片的所述背面?zhèn)认蚱湔鎮(zhèn)劝磯核霭雽?dǎo)體晶片，在保持具有所述環(huán)形加強(qiáng)部的所述半導(dǎo)體晶片之前進(jìn)行按壓所述半導(dǎo)體晶片的步驟； 通過向所述卡吸臺供給正壓解除在所述半導(dǎo)體晶片的正面上通過抽吸的附連； 解除在與所述半導(dǎo)體晶片的保持位置不同的位置上從所述半導(dǎo)體晶片的所述背面?zhèn)认蚱渌稣鎮(zhèn)葘λ霭雽?dǎo)體晶片的按壓，在按壓所述半導(dǎo)體晶片的步驟中進(jìn)行對所述晶片的按壓；以及 在保持住所述半導(dǎo)體晶片的同時(shí)，從所述卡吸臺拾取具有所述環(huán)形加強(qiáng)部的所述半導(dǎo)體晶片。
2.如權(quán)利要求I所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，其特征在于，在具有所述環(huán)形加強(qiáng)部的所述半導(dǎo)體晶片內(nèi)的、在解除附連的步驟中將正壓供給到卡吸臺上時(shí)易于局部變形的部位上進(jìn)行按壓所述半導(dǎo)體晶片的步驟。
3.如權(quán)利要求I或2所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，其特征在干，按壓所述半導(dǎo)體晶片的所述步驟包括如下步驟 從所述半導(dǎo)體晶片的所述背面?zhèn)认蚱渌稣鎮(zhèn)劝磯核霏h(huán)形加強(qiáng)部；以及 使用于保持所述半導(dǎo)體晶片的吸引構(gòu)件與所述半導(dǎo)體晶片的具有凹入構(gòu)造的內(nèi)部區(qū)域接觸。
4.如權(quán)利要求3所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，其特征在于，按壓所述環(huán)形加強(qiáng)部的所述步驟包括將彈性材料推向所述環(huán)形加強(qiáng)部以使所述彈性材料跟隨所述環(huán)形加強(qiáng)部的形狀而變形的過程。
5.如權(quán)利要求3所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，其特征在于，在解除對所述半導(dǎo)體晶片的按壓的所述步驟之后，拾取所述半導(dǎo)體晶片的所述步驟包括如下過程將負(fù)壓供給到與所述半導(dǎo)體晶片接觸的、用于保持所述半導(dǎo)體晶片的所述吸引構(gòu)件上，以吸引所述半導(dǎo)體晶片的具有凹入構(gòu)造的內(nèi)部區(qū)域。
6.如權(quán)利要求I或2所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，其特征在于，按壓所述半導(dǎo)體晶片的所述步驟包括如下步驟 從所述背面?zhèn)认蛘鎮(zhèn)劝磯核霭雽?dǎo)體晶片的具有凹入構(gòu)造的內(nèi)部區(qū)域；以及 從所述環(huán)形加強(qiáng)部的外側(cè)保持所述環(huán)形加強(qiáng)部。
7.如權(quán)利要求6所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，其特征在于，按壓所述內(nèi)部區(qū)域的所述步驟包括如下過程將彈性材料推向具有凹入構(gòu)造的所述內(nèi)部區(qū)域以及所述環(huán)形加強(qiáng)部的內(nèi)周緣部分，以使所述彈性材料跟隨所述環(huán)形加強(qiáng)部的形狀而變形。
8.一種用于制造半導(dǎo)體裝置的設(shè)備，所述設(shè)備包括卡吸臺，所述卡吸臺通過吸引待加工的半導(dǎo)體晶片的正面來附連所述半導(dǎo)體晶片； 磨削裝置，所述磨削裝置從所述半導(dǎo)體晶片的背面將所述半導(dǎo)體晶片的內(nèi)部區(qū)域磨削成具有凹入構(gòu)造，而在所述半導(dǎo)體晶片的外周緣部處留有環(huán)形加強(qiáng)部； 運(yùn)輸裝置，在保持所述半導(dǎo)體晶片的同時(shí)所述運(yùn)輸裝置從所述卡吸臺運(yùn)輸具有所述環(huán)形加強(qiáng)部的所述半導(dǎo)體晶片；其中所述運(yùn)輸裝置包括 按壓裝置，所述按壓裝置在與所述半導(dǎo)體晶片的保持位置不同的位置上從所述半導(dǎo)體晶片的所述背面?zhèn)认蚱渌稣鎮(zhèn)劝磯壕哂兴霏h(huán)形加強(qiáng)部的所述半導(dǎo)體晶片； 正壓供給裝置，所述正壓供給裝置將正壓供給到所述卡吸臺上；以及拾取裝置，在保持所述半導(dǎo)體晶片的同時(shí)，所述拾取裝置從所述卡吸臺拾取具有所述環(huán)形加強(qiáng)部的所述半導(dǎo)體晶片。
9.如權(quán)利要求8所述的制造半導(dǎo)體裝置的設(shè)備，其特征在干，所述按壓裝置按壓在具有所述環(huán)形加強(qiáng)部的所述半導(dǎo)體晶片內(nèi)的、在借助于所述正壓供給裝置向所述卡吸臺上供應(yīng)所述正壓時(shí)易于局部變形的部位上。
10.如權(quán)利要求8或9所述的制造半導(dǎo)體裝置的設(shè)備，其特征在干，所述按壓裝置包括 加強(qiáng)部按壓機(jī)構(gòu)，所述加強(qiáng)部按壓機(jī)構(gòu)從所述半導(dǎo)體晶片的所述背面?zhèn)认蚱渌稣鎮(zhèn)劝磯核霏h(huán)形加強(qiáng)部；以及 保持機(jī)構(gòu)，所述保持機(jī)構(gòu)保持所述半導(dǎo)體晶片的具有凹入構(gòu)造的所述內(nèi)部。
11.如權(quán)利要求10所述的制造半導(dǎo)體裝置的設(shè)備，其特征在于，所述加強(qiáng)部按壓機(jī)構(gòu)具有由弾性材料制成的部分，以與所述環(huán)形加強(qiáng)部接觸。
12.如權(quán)利要求10所述的制造半導(dǎo)體裝置的設(shè)備，其特征在于，所述保持機(jī)構(gòu)包括吸引所述半導(dǎo)體晶片的具有凹入構(gòu)造的所述內(nèi)部的吸引機(jī)構(gòu)。
13.如權(quán)利要求10所述的制造半導(dǎo)體裝置的設(shè)備，其特征在于，所述加強(qiáng)部按壓機(jī)構(gòu)具有用干支承所述加強(qiáng)部按壓機(jī)構(gòu)本身的滑動構(gòu)件，所述滑動構(gòu)件與用于圍繞公共軸線支承所述保持機(jī)構(gòu)的支承構(gòu)件連接，因而所述加強(qiáng)部按壓機(jī)構(gòu)和所述保持機(jī)構(gòu)彼此獨(dú)立地垂直運(yùn)動。
14.如權(quán)利要求8或9所述的制造半導(dǎo)體裝置的設(shè)備，其特征在干，所述按壓裝置包括 內(nèi)部區(qū)域按壓機(jī)構(gòu)，所述內(nèi)腔區(qū)域按壓機(jī)構(gòu)從所述背面?zhèn)认蛩稣鎮(zhèn)劝磯核霭雽?dǎo)體晶片的具有凹入構(gòu)造的所述內(nèi)部；以及 保持機(jī)構(gòu)，所述保持機(jī)構(gòu)從所述加強(qiáng)部的外側(cè)保持所述半導(dǎo)體晶片的所述環(huán)形加強(qiáng)部。
15.如權(quán)利要求14所述的制造半導(dǎo)體裝置的設(shè)備，其特征在于，所述內(nèi)部區(qū)域按壓機(jī)構(gòu)具有由弾性材料制成的部分，以與所述半導(dǎo)體晶片的所述環(huán)形加強(qiáng)部的內(nèi)周緣部和具有凹入構(gòu)造的所述內(nèi)部相接觸。
全文摘要
本發(fā)明的目的是提供制造半導(dǎo)體裝置的方法和設(shè)備，其中半導(dǎo)體晶片在磨薄之后可從卡吸臺安全和可靠地被拾取并傳送到下一步驟。在本發(fā)明的方法和設(shè)備中，通過抽吸將半導(dǎo)體晶片正面吸引到卡吸臺的附連板表面，半導(dǎo)體晶片背面被磨削以形成具有凹入構(gòu)造的內(nèi)部區(qū)域，在半導(dǎo)體晶片的外周緣部留下環(huán)形加強(qiáng)部。運(yùn)輸具有環(huán)形加強(qiáng)部的半導(dǎo)體晶片的流程包括如下步驟在與半導(dǎo)體晶片保持位置不同的位置從半導(dǎo)體晶片的背面向正面按壓半導(dǎo)體晶片，在保持具有環(huán)形加強(qiáng)部的半導(dǎo)體晶片之前進(jìn)行按壓半導(dǎo)體晶片的步驟；通過向卡吸臺上供應(yīng)正壓來解除半導(dǎo)體晶片正面通過抽吸的附連；解除在與半導(dǎo)體晶片保持位置不同的位置從半導(dǎo)體晶片背面向其正面對半導(dǎo)體晶片的按壓；和在保持半導(dǎo)體晶片的同時(shí)，從卡吸臺拾取具有環(huán)形加強(qiáng)部的半導(dǎo)體晶片。
文檔編號H01L21/683GK102683256SQ20121006738
公開日2012年9月19日 申請日期2012年3月6日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月11日
發(fā)明者田中陽子 申請人:富士電機(jī)株式會社