技術(shù)編號：7101313
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明大體上涉及電子電路和半導體器件，并且更具體地涉及一種半導體器件和形成功率MOSFET的方法，該功率MOSFET具有形成于緊密排列晶體管上方的硅化物層和互連結(jié)構(gòu)，并且進一步包括低廓形凸塊。背景技術(shù)常常在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中發(fā)現(xiàn)半導體器件。半導體器件在電組件的數(shù)目和密度方面變化。分立的半導體器件一般包含一種類型的電組件，例如發(fā)光二極管(LED)、小信號晶體管、電阻器、電容器、電感器、功率金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。集成半導體器件典型地包含幾百...
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