技術(shù)編號(hào)：7114306
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供用于制造空穴注入層(HIL)的溶液基方法，該空穴注入層是基于電子器件中在陽極接觸部和半導(dǎo)體空穴傳輸層(HTL)之間的摻雜過渡金屬氧化物(例如三氧化鑰)的界面，所述電子器件是包含共軛分子或聚合物的電子器件，例如有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)、有機(jī)薄膜晶體管(OTFT)和有機(jī)光伏電池(0PV)。由于它們的強(qiáng)電子接受性能，合適的過渡金屬氧化物例如三氧化鑰使得能夠形成歐姆接觸和有效的空穴注入，即使是在具有高電離電勢(即，深HOMO能級)的HTL的情形中，這是...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。