技術(shù)編號：7130946
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及晶體硅太陽能電池，具體是。背景技術(shù)晶體硅太陽能電池是把光能轉(zhuǎn)換為電能的光電子器件。它的光電轉(zhuǎn)換效率定義為總輸出功率與入射到太陽電池表面的太陽光總功率的比值。低成本、高效率是晶體硅太陽能電池的發(fā)展方向。由于晶體硅表面的太陽光的反射率較高，不能充分吸收太陽光，造成能源浪費(fèi)。目前人們常用的做法是在硅片表面鍍減反射膜，例如，二氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、二氧化鈦膜是常用的鍍膜材料，顯然，單層膜的減反射效果并不好，雙層膜及多層膜也開始應(yīng)用。當(dāng)前選擇在硅...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。